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公开(公告)号：CN115985994A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310047894.9
申请日：2023-01-31
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0304 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种提升α‑In2Se3基二维光电探测器性能的方法，属于光电响应探测领域。本发明通过由Ar2+和CF22+组成的混合离子束对α‑In2Se3基二维光电探测器施加辐照，发现功能Ar2+离子在α‑In2Se3中创造浅层能级空位的同时CF22+离子能够钝化α‑In2Se3中深层能级空位，即两种离子协同发挥各自的优势，加快α‑In2Se3基光电探测器的光响应速度，提升α‑In2Se3基光电探测器的光电流；且本发明限定的方法简单易行，具有很强的实用性。
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