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公开(公告)号：CN117012813A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311150541.8
申请日：2023-09-07
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层包含源极、沟道、漏极；顶部栅极自下而上依次设置第三氧化物层、第二氧化铪基负电容层及第二金属层。本发明利用两个栅极负电容层的共同作用，实现更强的栅控能力，大幅稳定场效应晶体管的负电容效应，获得更稳定的超低亚阈值摆幅，大幅降低器件工作电压，有望满足先进微电子器件的发展需求。
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公开(公告)号：CN117012813B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202311150541.8
申请日：2023-09-07
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层包含源极、沟道、漏极；顶部栅极自下而上依次设置第三氧化物层、第二氧化铪基负电容层及第二金属层。本发明利用两个栅极负电容层的共同作用，实现更强的栅控能力，大幅稳定场效应晶体管的负电容效应，获得更稳定的超低亚阈值摆幅，大幅降低器件工作电压，有望满足先进微电子器件的发展需求。
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公开(公告)号：CN113643738B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110909895.0
申请日：2021-08-09
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，首先准备洁净的衬底；然后采用原子层沉积工艺，在衬底上沉积铁电层，铁电层的材料为Hf0.5Zr0.5O2，厚度为12nm，沉积温度为280℃；接着采用磁控溅射工艺，利用圆孔掩膜版在铁电层上沉积点状顶电极，厚度为40nm，在铁电层上沉积保护层，厚度为40nm；最后在距离保护层4‑5mm处设置悬臂，在悬臂前端设置朝下的数据读取头与数据写入头。本发明中的铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器解决了磁性介质机械硬盘或者铁电场效应晶体管存在的存储密度不高的问题。
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公开(公告)号：CN113643738A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110909895.0
申请日：2021-08-09
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11507
Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，首先准备洁净的衬底；然后采用原子层沉积工艺，在衬底上沉积铁电层，铁电层的材料为Hf0.5Zr0.5O2，厚度为12nm，沉积温度为280℃；接着采用磁控溅射工艺，利用圆孔掩膜版在铁电层上沉积点状顶电极，厚度为40nm，在铁电层上沉积保护层，厚度为40nm；最后在距离保护层4‑5mm处设置悬臂，在悬臂前端设置朝下的数据读取头与数据写入头。本发明中的铁电薄膜材料存储介质的硬盘式存储器解决了磁性介质机械硬盘或者铁电场效应晶体管存在的存储密度不高的问题。
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公开(公告)号：CN204295638U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420707459.0
申请日：2014-11-24
Applicant: 湘潭大学
IPC: B25C3/00
Abstract: 一种辅助钉钉子装置，它主要是解决现有的辅助装置适用范围窄、定位不准确和无法导向而引发的钉子弯曲、歪斜、砸手等技术问题。其技术方案要点是：它形状为一个底面水平、顶面倾斜的类圆柱体，包括中心磁铁（2）和套装在中心磁铁（2）上的外围圆柱体固定模（1），外围圆柱体固定模（1）边缘竖直设有与各种型号的钉子的直径相适应的孔洞，并且孔洞上留有可容钉子退出该装置的空隙。它主要是用于辅助钉钉子。
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