公开(公告)号：CN110061048B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910348994.9

申请日：2019-04-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 唐明华 ,  孙运龙 ,  陈子荷 ,  肖永光 ,  李刚 ,  李诚瞻 ,  周维

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74 ,  H01L29/745

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的MOS场控晶闸管，包括阳极金属、位于阳极金属上的P+阳极、位于P+阳极上的N FS层、位于N FS层上的N‑base区；N‑base区顶层表面分布有第一类阴极金属、第二类阴极金属、栅介质层；栅介质层上方设置多晶硅栅；N‑base区顶端靠左设置P well区，P well区顶端靠右设置N well区，N well区的顶端靠右设置P+区；N well和P+区的一部分位于多晶硅栅下方。本发明能够解决MCT关断过程中off‑FET中存在的反复充电和放电问题，减少MCT在脉冲电路中的关断时间；同时，缓解MCT阴极金属边缘处的电流集中，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN110061048A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910348994.9

申请日：2019-04-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 唐明华 ,  孙运龙 ,  陈子荷 ,  肖永光 ,  李刚 ,  李诚瞻 ,  周维

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74 ,  H01L29/745

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的MOS场控晶闸管，包括阳极金属、位于阳极金属上的P+阳极、位于P+阳极上的N FS层、位于N FS层上的N-base区；N-base区顶层表面分布有第一类阴极金属、第二类阴极金属、栅介质层；栅介质层上方设置多晶硅栅；N-base区顶端靠左设置P well区，P well区顶端靠右设置N well区，N well区的顶端靠右设置P+区；N well和P+区的一部分位于多晶硅栅下方。本发明能够解决MCT关断过程中off-FET中存在的反复充电和放电问题，减少MCT在脉冲电路中的关断时间；同时，缓解MCT阴极金属边缘处的电流集中，提高器件的可靠性。