公开(公告)号：CN114420544A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210010418.5

申请日：2022-01-05

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 尹路 ,  卢彬彬 ,  周益春 ,  廖敏 ,  李欣雨

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种交替生长的铁电薄膜的制备方法，属于铁电薄膜技术领域。本发明的制备方法包括：称量预设比例的有机铪盐、多掺杂元素的有机金属盐置于容器中，再依次加入一元酸和有机溶剂；加热搅拌至澄清后持续搅拌至室温，获得不同溶液浓度、不同掺杂元素、不同掺杂量等多种前驱体溶液；将两种或多种前驱体溶液以交替的方式滴加至铂衬底上进行旋涂处理；执行退火操作获得交替生长的多元素掺杂Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜。采用化学溶液沉积方法，能够在不使用大型设备的情况下制备出交替生长的多元素掺杂HZO铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。

公开(公告)号：CN116133514A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310195791.7

申请日：2023-03-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 尹路 ,  李欣雨 ,  廖敏 ,  赵影 ,  郑帅至 ,  彭强祥

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明属于铁电薄膜技术领域，本发明提供了一种改善叠层氧化铪基铁电薄膜性能的方法及其叠层铁电薄膜。该制备方法包括以下步骤：S1、将有机铪盐、掺杂金属盐、催化剂和有机溶剂混合后进行反应得到前驱体溶液M1：HfO2；将有机锆盐、掺杂金属盐、催化剂和有机溶剂混合后进行反应得到前驱体溶液M2：ZrO2；S2、将前驱体溶液M1：HfO2沉积在基底上作为第一铁电膜层，将前驱体溶液M2：ZrO2沉积在第一铁电膜层作为第二铁电膜层即完成一次堆叠，重复堆叠N次得到薄膜样品；S3、对薄膜样品进行热处理即得叠层氧化铪基铁电薄膜。本发明在叠层铁电薄膜中掺入活性元素，降低了单斜相的含量，改善了其铁电性和耐久性。