公开(公告)号：CN116240580A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310229763.2

申请日：2023-03-07

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  周谷雨 ,  代娜 ,  胡勇

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/067 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明公开一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底，通过水热法在导电玻璃上生长三氧化钨种子层，将种子层进一步水热生长镍掺杂的三氧化钨纳米片，将镍掺杂的三氧化钨浸渍到氟化铵溶液中，制得镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极。所述镍掺杂和表面氟化共改性于三氧化钨纳米片的内部及表面，显著提升了三氧化钨光阳极的光电化学性能。可应用于光电催化分解水、光电催化降解污染物以及构建光电化学传感器等领域。

公开(公告)号：CN118086956A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211502444.6

申请日：2022-11-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  文祥 ,  张英杰 ,  周谷雨

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明提供一种通过负载焦磷酸钴(Co2P2O7)纳米片以提升金属氧化物半导体光电阳极光电化学性能的方法，步骤包括：(1)将含焦磷酸钠与乙酸钴的混合溶液进行水热，制得的焦磷酸钴清洗后超声分散于乙醇中；(2)将步骤(1)得到的焦磷酸钴乙醇分散液通过旋涂仪均匀分散于多种金属氧化物光阳极基底上，最后置于管式炉中流通氩气煅烧。本发明通过将Co2P2O7纳米片负载于金属氧化物光阳极表面，Co2P2O7的存在能迅速转移相界面处的光生电荷，抑制光生电子和空穴的复合；同时，其充当了光阳极表面水氧化反应的助催化剂进一步加快析氧反应速率。该方法经济、有效且简捷，方便大批量合成。