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1.

发明公开
一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法无效

公开(公告)号：CN109692678A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201910137132.1

申请日：2019-02-25

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 刘灿军 , 陈述 , 宋志文 , 王京晶 , 陈立衡 , 谷慧

IPC: B01J23/30 , B01J35/06

Abstract: 本发明涉及纳米结构的制造或处理技术领域，为一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法。通过将WO3纳米薄膜表面吸附Bi3+，经过450~600℃高温处理，得Bi2WO6/WO3纳米薄膜；将Bi2WO6/WO3纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得Bi2S3/WO3纳米薄膜；将Bi2S3/WO3纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后表面粗糙度均匀的WO3纳米薄膜。由此，通过本发明方法，将纳米催化剂材料的表面刻蚀，能进一步提高光催化剂材料的表面积，从而显著提高表面催化活性位点。解决了目前缺乏简单易行的方法刻蚀WO3基半导体纳米材料表面的问题。与现有技术相比，本发明的方法具有简单易行、易于操作、成本低廉和刻蚀后的WO3纳米薄膜表面粗糙程度均匀的优点。

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