一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

    公开(公告)号:CN113015330B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110242787.2

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器,其结构包括:集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板,本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合,通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果,保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果,再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒,提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果,提升存储器的时效性和耐用度,降低宕机隐患,提升流畅的存储运作效率。

    一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

    公开(公告)号:CN113015330A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110242787.2

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器,其结构包括:集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板,本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合,通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果,保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果,再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒,提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果,提升存储器的时效性和耐用度,降低宕机隐患,提升流畅的存储运作效率。

    一种基于光电检测的半导体研磨设备

    公开(公告)号:CN214771281U

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202121153063.2

    申请日:2021-05-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于光电检测的半导体研磨设备,涉及半导体研磨设备技术领域,包括支撑架和工具柜,支撑架靠外侧底部位置安装有制动底座,支撑架底部靠中部位置安装有固定盘组件,制动底座一侧安装有工具柜,工具柜顶部安装有检测机构;制动底座包括内腔、支撑座、制动电机、聚液环桶和支撑板,支撑座安装于内腔内部靠中间位置,制动电机安装于支撑座顶部内仓,且制动电机输出轴通过轴承穿过支撑座顶部内仓顶板连接于支撑板底部,聚液环桶安装于内腔靠中部位置,且与内腔靠中部位置侧壁固定连接;不但可以将研磨液方便的收集起来,避免污染研磨设备放置区;而且,研磨完半导体硅片后,不需要将半导体硅片取出,在一定程度上简化了检测程序。

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