公开(公告)号：CN118108501A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410240542.X

申请日：2024-03-04

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 杨佳鑫 ,  吴嘉俊 ,  侯嘉兴 ,  杨洪宇 ,  欧云

IPC: C04B35/468 ,  H10N30/093 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B41/89

Abstract: 本发明提供了一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，方法包括：提供压电陶瓷基材，其中，压电陶瓷基材的化学式为BaTiO3·xTiO2·yZrO2；在压电陶瓷基材上磁控溅射形成第一压电陶瓷层，其中，第一压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·aTiO2·bZrO2；在第一压电陶瓷层上磁控溅射形成第二压电陶瓷层，其中，第二压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·cTiO2·dZrO2；在第二压电陶瓷层上磁控溅射形成第三压电陶瓷层，其中，第三压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·eTiO2·fZrO2；其中，x>a>c>e，并且其中，y

公开(公告)号：CN118064853A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410106570.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 杨佳鑫 ,  吴嘉俊 ,  杨洪宇 ,  官慧 ,  文泽军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C03C17/36

Abstract: 本发明公开了一种导电AZO陶瓷膜的制备方法，方法包括如下步骤：在玻璃基片上磁控溅射沉积第一AZO层，其中，第一AZO层的厚度为15‑30nm；在第一AZO层上磁控溅射沉积Ni‑AZO层，其中，Ni‑AZO层的厚度为10‑20nm；在Ni‑AZO层上磁控溅射沉积Ni层，其中，Ni层的厚度为2‑4nm；在Ni层上磁控溅射沉积AgNi层，其中，AgNi层的厚度为2‑4nm；在AgNi层上磁控溅射沉积Ag层，其中，Ag层的厚度为5‑8nm；在Ag层上磁控溅射沉积Ag‑AZO层，其中，Ag‑AZO层的厚度为10‑20nm；在Ag‑AZO层上磁控溅射沉积第二AZO层，其中，第二AZO层的厚度为15‑30nm。

公开(公告)号：CN118117253A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410240379.7

申请日：2024-03-04

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 杨佳鑫 ,  吴嘉俊 ,  侯嘉兴 ,  杨洪宇 ,  欧云

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/457 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供了一种具有陶瓷涂层的锂电池隔膜的改性方法，其特征在于，方法包括：在基材上涂覆磷酸钛铝锂涂层；在磷酸钛铝锂涂层上磁控溅射Al2‑xZn1.5xO3层，其中，0.2

公开(公告)号：CN118063211A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410106719.7

申请日：2024-01-25

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 杨佳鑫 ,  吴嘉俊 ,  杨洪宇 ,  官慧 ,  文泽军

IPC: C04B35/49 ,  H10N30/093 ,  H10N30/50 ,  H10N30/853 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/89 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电陶瓷材料的制备方法，方法包括：提供无铅压电陶瓷基材；在无铅压电陶瓷基材上磁控溅射沉积第一无铅压电陶瓷层；在第一无铅压电陶瓷层上磁控溅射沉积第二无铅压电陶瓷层；在第二无铅压电陶瓷层上磁控溅射沉积第三无铅压电陶瓷层；其中，无铅压电陶瓷基材、第一无铅压电陶瓷层、第二无铅压电陶瓷层以及第三无铅压电陶瓷层均具有化学通式Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，0.2≤x≤1，其中，第三无铅压电陶瓷层比第二无铅压电陶瓷层具有更多的氟元素，第二无铅压电陶瓷层比第一无铅压电陶瓷层具有更多的氟元素，第一无铅压电陶瓷层比无铅压电陶瓷基材具有更多的氟元素。

公开(公告)号：CN222288468U

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202420926508.3

申请日：2024-04-30

Applicant: 湖南科技大学 ,  湖南西交智造科技有限公司

Inventor： 唐楠 ,  王敏卜 ,  杨洪宇 ,  符达 ,  王臻 ,  谭振国 ,  陈宇强 ,  刘阳

IPC: B21D22/02 ,  B21D43/04 ,  B21D37/10 ,  B21D37/04 ,  F16F15/067

Abstract: 本实用新型公开了一种材料成型冲压装置，涉及冲压技术领域。本实用新型包括工作台，所述工作台的背面设有支撑架，支撑架上端设置冲压机构，工作台的顶面一侧设置横向输送机构，横向输送机构的正面设置两个下模具，下模具底部与工作台上表面滑动接触，下模具上设置有用于推动材料脱离下模具的下料辅助组件。通过横向输送机构控制两个下模具交替冲压和上下料，通过下料辅助组件对脱离冲压机构的下模具进行自动下料，提高了冲压加工、上下料的效率、质量，避免操作者将手部伸入装置的内部，使得冲压过程更加安全，自动化程度提高。设置缓冲组件对上模具进行缓冲，降低冲压机构的故障率，同时提高冲压机构的使用寿命。