Patent search ap:("湖南科技大学") AND inv:"杨佳慧" Page 1

1.

发明公开
一种刻蚀TiO2纳米薄膜的方法无效

公开(公告)号：CN109731564A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910137150.X

申请日：2019-02-25

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 刘灿军 , 陈述 , 杨佳慧 , 宋志文 , 谷慧

IPC: B01J21/06 , B01J27/04 , B01J35/10

Abstract: 本发明涉及纳米结构的制造或处理技术领域，为一种刻蚀TiO2纳米薄膜的方法。通过将TiO2纳米薄膜表面吸附Cd2+，经过450~600℃高温处理，得CdTiO3/TiO2纳米薄膜；将CdTiO3/TiO2纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得CdS/TiO2纳米薄膜；将CdS/TiO2纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后的TiO2纳米薄膜。由此，通过本发明方法，使用针对TiO2纳米薄膜的表面刻蚀技术，可以增加TiO2纳米薄膜的比表面积，能够显著提高TiO2纳米薄膜的光电催化性能。解决了针对TiO2纳米薄膜比表面积增大的问题。与现有技术相比，本发明的方法具有简单易行、操作方便、成本低廉的特点。

Patent Agency Ranking