公开(公告)号：CN115994464A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211579932.7

申请日：2022-12-09

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 杨鑫 ,  武新龙 ,  衡可 ,  叶俊杰 ,  欧阳晓平

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提供一种基于焊料层裂纹长度扩展的功率器件剩余寿命预测方法及系统，所述剩余寿命预测方法包括：建立有限元二维模型/有限元三维模型；将所述有限元二维模型/有限元三维模型中的芯片焊料层模型均分为K个单元格；依次执行第1老化阶段、第2老化阶段、……、第S+1老化阶段，得到第k老化阶段完成时刻功率器件的结壳热阻；焊料层裂纹长度随着失效的单元格数量增加而增大；实时监测实际试验中功率器件的功率循环次数、与功率循环次数对应的功率器件的结壳热阻，判断当前功率器件的结壳热阻属于哪个区间，再利用相应的公式计算从当前监测结壳热阻的时刻到芯片焊料层失效所需的功率循环次数。

公开(公告)号：CN116454040A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310706981.0

申请日：2023-06-15

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  武新龙 ,  叶俊杰 ,  衡可 ,  欧阳晓平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/15

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构，所述功率半导体器件封装结构具有在高度方向上由上到下依次设置的芯片、第一铜层、陶瓷层、第二铜层；其特征在于：所述陶瓷层朝向第一铜层/第二铜层的一侧开设有凹槽，所述第一铜层/第二铜层具有朝向陶瓷层设置的凸起，所述凸起与凹槽的形状相适应；平行于所述封装结构高度方向且经过所述凹槽最大槽深位置的直线与芯片轴线相重合。

公开(公告)号：CN116454040B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310706981.0

申请日：2023-06-15

Applicant: 湖南大学

Inventor： 杨鑫 ,  武新龙 ,  叶俊杰 ,  衡可 ,  欧阳晓平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/15

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构，所述功率半导体器件封装结构具有在高度方向上由上到下依次设置的芯片、第一铜层、陶瓷层、第二铜层；其特征在于：所述陶瓷层朝向第一铜层/第二铜层的一侧开设有凹槽，所述第一铜层/第二铜层具有朝向陶瓷层设置的凸起，所述凸起与凹槽的形状相适应；平行于所述封装结构高度方向且经过所述凹槽最大槽深位置的直线与芯片轴线相重合。