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公开(公告)号：CN119820467A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411879478.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及抛光方法，以抛光工艺，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1；改变所述抛光工艺的参数中的至少1个，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1’；比较抛光结果1和抛光结果1’；若抛光结果1’不优于抛光结果1，则继续改变所述参数，直至抛光结果1’优于抛光结果1；若抛光结果1’优于抛光结果1，则直接进行后续步骤；在此基础上，改变抛光工艺中的其他参数，获得多个参数被优化后的抛光工艺；重复上述操作，直至获得目标参数均被优化后的抛光工艺。本发明对化学机械抛光工艺的参数进行系统优化，提升抛光工艺参数设置的科学性、合理性，提升抛光质量。
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