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公开(公告)号：CN101462693A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810143760.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种微纳器件的原位构建方法，特别是利用无掩模光刻技术原位构建微纳器件的方法，它是将纳米材料置于电极之间并且与电极相连的一种新方法。其工艺过程为：纳米材料在基底上的分布、匀胶、通过无掩模光刻机定位纳米材料、原位设计曝光图形并曝光、显影、定影、金属层的沉积、剥离，最后形成纳米材料位于电极之下并与电极相连的原型微纳器件结构。此方法特别适合于具有复杂纳米结构的器件的原位构建。此器可以进一步构建其它结构的微纳器件，包括纳米材料场效应晶体管、微纳传感器、振荡器和相移器等器件。该方法具有原位制备的优点，成本低、工艺简单、速度快、对器件损伤小，是一种有着广泛应用前景的微纳器件单元的构建方法。
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