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公开(公告)号：CN111141962A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010059525.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种测量功率器件C-V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C-V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本发明不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。
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公开(公告)号：CN112448652B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011262756.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于驱动控制技术领域，提供了一种两级式交错并联电驱控制器，用于连接电机，其包括储能单元，用于输出输入电压；直流变换单元与储能单元连接，用于根据输入电压和第一脉冲宽度调制信号输出母线电压；逆变单元与直流变换单元和电机连接，用于根据母线直流电压和第二脉冲宽度调制信号输出三相电流以驱动电机；反馈单元与直流变换单元、逆变单元以及电机连接，用于检测母线直流电压并输出电压检测信号，用于检测逆变单元的相电流并输出电流检测信号，用于检测电机的转速并输出角速度信号；控制单元与直流变换单元、逆变单元以及反馈单元连接，用于根据电压检测信号、电流检测信号以及角速度信号输出第一脉冲宽度调制信号和第二脉冲宽度调制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111141962B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010059525.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种测量功率器件C‑V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C‑V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本发明不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。
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公开(公告)号：CN112448652A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011262756.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于驱动控制技术领域，提供了一种两级式交错并联电驱控制器，用于连接电机，其包括储能单元，用于输出输入电压；直流变换单元与储能单元连接，用于根据输入电压和第一脉冲宽度调制信号输出母线电压；逆变单元与直流变换单元和电机连接，用于根据母线直流电压和第二脉冲宽度调制信号输出三相电流以驱动电机；反馈单元与直流变换单元、逆变单元以及电机连接，用于检测母线直流电压并输出电压检测信号，用于检测逆变单元的相电流并输出电流检测信号，用于检测电机的转速并输出角速度信号；控制单元与直流变换单元、逆变单元以及反馈单元连接，用于根据电压检测信号、电流检测信号以及角速度信号输出第一脉冲宽度调制信号和第二脉冲宽度调制信号。
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公开(公告)号：CN112290790A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011108866.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公布了一种针对功率器件振铃现象的能量收集装置，本发明针对功率器件振铃现象的能量收集装置，在系统满足电磁兼容的前提下，通过在变换器的功率回路接入空心耦合线圈，将开关暂态电压和电流波形高频振铃产生的电磁干扰的能量感应到二次侧的无源元件中，经过整流电路将交流信号整流成直流信号以被后级电路存储和管理，从而实现能量的收集。采取PCB罗氏线圈作为空心耦合线圈，减少线圈对功率回路的影响。并且，无源元件电路用于耦合到变换器功率回路增加电路的阻抗，通过调节无源元件电路的参数还能实现对变换器开关波形振铃抑制。在不牺牲功率器件开关速度的前提下，改善因电压电流尖峰和振铃带来的可靠性问题和电磁干扰问题。
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公开(公告)号：CN109412394A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811295752.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于功率开关管IGBT和MOSFET的驱动电路，尤其涉及抑制IGBT和MOSFET电磁干扰的开环有源电压驱动电路及方法，通过连续离散调节门极电阻阻值大小，将开关暂态电压波形由原来的单一斜率的集射极电压波形，调整为对电磁干扰有更好抑制作用的高斯S型电压波形；并且，由于本发明主要是进行开关过程电压波形的调节，所以控制的动态阶段最重要的为上述的电压下降阶段和电压上升阶段，有源电压驱动电路在开关管电压下降和电压上升过程中动态连续离散调节输出门极电阻值。最终本发明能够在每个阶段选择最佳的门极电阻来驱动，以达到电磁干扰、电压过冲等影响最小的效果。
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公开(公告)号：CN212060434U
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202020122541.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本实用新型提供了一种测量功率器件C-V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C-V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本实用新型不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，并能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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