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公开(公告)号：CN117521393A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311556188.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种面向曼哈顿版图电子束光刻能量沉积密度分布计算的高校方法。本发明是一种基于版图裂解的分层电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积计算方法。本方法通过将原始版图裂解为不相交矩形，在保证精度的前提下，分层计算电子束光刻邻近效应能量沉积，极大的降低了电子束光刻邻近效应校正过程中对计算资源的需求，最终提高电子束光刻邻近效应校正效率。本发明共分为五个步骤：步骤S1曼哈顿曝光版图读入；步骤S2裂解曼哈顿版图为矩形；步骤S3分层计算电子束光刻能量沉积密度分布，电子束光刻能量沉积密度分布分为电子束光刻前散射能量沉积密度分布与电子束光刻背散射能量沉积密度分布的和；步骤S4显影与测量均值误差；步骤S5更新矩形曝光剂量。
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公开(公告)号：CN115437209A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211207440.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种大规模并行的电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积计算方法。目的是保证精度的前提下，解决单台计算机的内存和算力瓶颈，扩大被计算版图的尺寸限制，并且提高版图能量沉积的计算速度，最终提高电子束光刻邻近效应校正效率。本发明共分为六个步骤：步骤S1曝光版图读入与子版图划分；步骤S2子版图边缘区域确定；步骤S3相邻子版图通信；步骤S4大规模并行计算能量沉积；步骤S5显影与测量均值误差；步骤S6更新版图曝光剂量。
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公开(公告)号：CN115480460A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211269637.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种提升掩模曝光效率的掩模晶圆协同优化方法，其步骤包括：S1计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案；S2初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组；S3可变电子束光刻正向曝光、显影模拟；S4修正可变电子束曝光方式；S5设置收敛条件，输出优化后的可变电子束曝光方式。本发明技术特点是通过计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案，并初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组，这组基函数的线性组合和阈值函数来表示可变电子束曝光镜头，模拟电子束正向曝光、显影后，在确保光刻后的掩模图案精度的前提下，优化可变电子束曝光方式，降低可变电子束曝光次数，从而提高光刻效率，具有高计算效率、高计算精度的特点。
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公开(公告)号：CN118483866A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410723007.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种面向曼哈顿版图的电子束光刻邻近效应逆向校正方法，目的是通过结合剂量调制纠正长距离效应和形状调整纠正短距离效应的优点，实现更高精度地进行邻近效应校正，从而提高电路图案保真度。本方法首先将原始目标版图裂解为互不相交的矩形，计算整个版图的能量沉积密度，接着使用剂量校正迭代算法更改整个版图的曝光剂量分布，然后遍历每个图形贪心地进行形状调整，直到满足退出条件。本发明共分为四个步骤：步骤S1裂解目标版图；步骤S2计算版图能量沉积密度；步骤S3邻近效应剂量校正；步骤S4邻近效应形状校正。
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