公开(公告)号：CN113173586A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110472771.0

申请日：2021-04-29

Applicant: 湖南大学

Inventor： 高朋召 ,  刘小磐 ,  郑航博 ,  李玉玲

IPC: C01B33/26 ,  C04B35/626 ,  C04B35/10 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种堇青石微晶粉、氧化铝陶瓷基片及其制备方法，包括浆料制备：将微米氧化铝、烧结助剂、介电损耗调节剂、堇青石微晶粉和成型助剂，球磨得到浆料；生坯制备：采用流延法制备生坯片；生坯的排胶及烧结：生坯片排胶后进行烧结，烧结过程的温度范围为650℃到最高温度，最高温度为1000‑1450℃。本发明利用堇青石微晶粉体提高Al2O3基片的强度，降低其热膨胀系数和介电常数；利用烧结助剂降低基片的烧结温度；利用介电损耗调节剂降低基片高频下的介电损耗，有效解决了现有技术制备的Al2O3基片介电常数和介电损耗较高、热膨胀系数高，抗热冲击性能差的问题，大幅拓宽了Al2O3基片的应用范围，工艺简单稳定。

公开(公告)号：CN113173586B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202110472771.0

申请日：2021-04-29

Applicant: 湖南大学

Inventor： 高朋召 ,  刘小磐 ,  郑航博 ,  李玉玲

IPC: C01B33/26 ,  C04B35/626 ,  C04B35/10 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种堇青石微晶粉、氧化铝陶瓷基片及其制备方法，包括浆料制备：将微米氧化铝、烧结助剂、介电损耗调节剂、堇青石微晶粉和成型助剂，球磨得到浆料；生坯制备：采用流延法制备生坯片；生坯的排胶及烧结：生坯片排胶后进行烧结，烧结过程的温度范围为650℃到最高温度，最高温度为1000‑1450℃。本发明利用堇青石微晶粉体提高Al2O3基片的强度，降低其热膨胀系数和介电常数；利用烧结助剂降低基片的烧结温度；利用介电损耗调节剂降低基片高频下的介电损耗，有效解决了现有技术制备的Al2O3基片介电常数和介电损耗较高、热膨胀系数高，抗热冲击性能差的问题，大幅拓宽了Al2O3基片的应用范围，工艺简单稳定。