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公开(公告)号：CN118602067A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411027474.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及高承载紧凑型准零刚度隔振器，属于准零刚度隔振器领域，包括外壳和准零刚度构件，准零刚度构件设置于外壳内，包括通过承载平台相互并联的正刚度机构和负刚度机构；承载平台包括其轴线沿着竖直方向设置的支撑柱，支撑柱的顶端穿过贯穿孔并延伸出外壳，支撑柱的底端固定设置有弹簧支撑架，正刚度机构包括多个竖直设置的螺旋弹簧，位于弹簧支撑架和安装腔的底部之间；负刚度机构包括固定于支撑柱的第一磁环和固定于外壳的第二磁环，第一磁环和第二磁环为永磁体且具有相同的充磁方向。本发明可以在确保隔振器的承载能力的前提下，使得隔振器具有较小的体积，从而可以实现隔振器在大负载小空间工况下具有良好的低频隔振作用的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110838787B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201911116005.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/088 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流ID和漏源极电压Vds的瞬时变化状态对SiC MOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判断得到作为中间量的开通过程检测判断信号和关断过程检测判断信号，并最终对驱动电流注入控制电路和驱动电流分流电路进行控制，在不同的阶段注入驱动电流Ig2或分流驱动电流Ig3，配合主驱动电路输出的驱动电流Ig1得到多种栅极的驱动电流IG的控制效果，从而使得本发明的主动驱动电路能够在抑制电压电流过冲的同时，保持开关损耗不增加，并使得SiC MOSFET的开关速度基本不受影响。
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公开(公告)号：CN110838787A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911116005.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/088 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流ID和漏源极电压Vds的瞬时变化状态对SiC MOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判断得到作为中间量的开通过程检测判断信号和关断过程检测判断信号，并最终对驱动电流注入控制电路和驱动电流分流电路进行控制，在不同的阶段注入驱动电流Ig2或分流驱动电流Ig3，配合主驱动电路输出的驱动电流Ig1得到多种栅极的驱动电流IG的控制效果，从而使得本发明的主动驱动电路能够在抑制电压电流过冲的同时，保持开关损耗不增加，并使得SiC MOSFET的开关速度基本不受影响。
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公开(公告)号：CN111211762B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010101935.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路，该所述驱动电路包括与栅极电阻Rg相互并联的变栅极电阻辅助电路，栅极电阻Rg的一端连接到PWM驱动电路的输出端，另外一端连接到SiC MOSFET的栅极，所述的变栅极电阻辅助电路仅由R‑C电路、三极管开关器件Q、辅助电阻Rassit和二极管D1组成。该驱动电路结构简单，不需要复杂的比较控制电路、逻辑控制电路和开关用的栅极电阻，也不需要数字处理器进行控制。与无辅助电路的SiC器件门极驱动技术相比开通速度更快、开通后电流振荡更少，能够减少开通损耗，提高系统效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN111211762A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010101935.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路，该所述驱动电路包括与栅极电阻Rg相互并联的变栅极电阻辅助电路，栅极电阻Rg的一端连接到PWM驱动电路的输出端，另外一端连接到SiC MOSFET的栅极，所述的变栅极电阻辅助电路仅由R-C电路、三极管开关器件Q、辅助电阻Rassit和二极管D1组成。该驱动电路结构简单，不需要复杂的比较控制电路、逻辑控制电路和开关用的栅极电阻，也不需要数字处理器进行控制。与无辅助电路的SiC器件门极驱动技术相比开通速度更快、开通后电流振荡更少，能够减少开通损耗，提高系统效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN110401331A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910696590.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 湖南大学 , 湖南沃森电气科技有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/082 , H03K17/042
Abstract: 一种电动汽车电机控制器的SiC功率器件主动驱动电路，包括dID/dt检测电路、dVDS/dt检测电路、反馈信号滤波电路、差分放大电路和功率放大电路，其中：差分放大电路通过功率放大电路连接至SiC功率器件的栅极，差分放大电路还连接有脉冲发生器Vgg以输入PWM驱动信号；反馈信号滤波电路连接于差分放大电路，dID/dt检测电路连接于SiC功率器件的源极与反馈信号滤波电路之间，dVDS/dt检测电路连接于SiC功率器件的漏极与反馈信号滤波电路之间。本发明将漏极电流变化率和漏源极电压变化率直接反馈到驱动信号输入端以调制驱动信号，对开通过程电流上升阶段和关断过程电压上升阶段进行独立控制，采用简单的模拟电路实现，具有适用性强、实现简单、成本低、控制效果好的优势。
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