公开(公告)号：CN113745261B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202110822816.2

申请日：2021-07-21

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  张成

IPC: H01L27/15 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法，其中的光子集成芯片的信息传感与存储单元包括从下至上依次对准叠合设置的Micro‑LED、平滑层、铁电半导体、介质层和钝化层，还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极分别嵌入在介质层的底部两侧并与铁电半导体接触，所述栅极嵌入在钝化层的底部并位于介质层的上方中间位置。本发明可以实现对光信息同步传感与存储，提高信号处理效率，简化电路结构，在未来光子芯片和图像识别领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN114300501B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202111597150.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  王一喆

IPC: H01L27/15 ,  G09G3/32

Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN114300501A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111597150.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  王一喆

IPC: H01L27/15 ,  G09G3/32

Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN113745261A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110822816.2

申请日：2021-07-21

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  张成

IPC: H01L27/15 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法，其中的光子集成芯片的信息传感与存储单元包括从下至上依次对准叠合设置的Micro‑LED、平滑层、铁电半导体、介质层和钝化层，还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极分别嵌入在介质层的底部两侧并与铁电半导体接触，所述栅极嵌入在钝化层的底部并位于介质层的上方中间位置。本发明可以实现对光信息同步传感与存储，提高信号处理效率，简化电路结构，在未来光子芯片和图像识别领域具有重要的应用前景。