公开(公告)号：CN110416065B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201910688508.8

申请日：2019-07-29

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李梓维 ,  李方 ,  杨文 ,  梁德琅 ,  潘安练

IPC: H01L21/02 ,  C01G39/06 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。

公开(公告)号：CN110416065A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910688508.8

申请日：2019-07-29

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李梓维 ,  李方 ,  杨文 ,  梁德琅 ,  潘安练

IPC: H01L21/02 ,  C01G39/06 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600-700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。