-
公开(公告)号：CN117094270B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311356875.0
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/373 , G06F111/06
Abstract: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数综合设计方法，包括步骤S1，确定混合器件所应用开关模式；步骤S2，在步骤S1所确定的开关模式下，先定性分析调控参数对混合器件损耗和电流过冲的影响，再根据混合器件内Si IGBT和SiC MOSFET的具体型号，得出各调控参数对混合器件损耗和电流过冲影响的灵敏度大小；步骤S3，比较调控参数对混合器件损耗优化的灵敏度高低，确定调控参数降低损耗的优先级；步骤S4，采用优先级高的调控参数优化混合器件的损耗，确定优先级高的调控参数值；步骤S5，采用优先级低的调控参数抑制混合器件的电流过冲值，将峰值电流限制在混合器件预设的最大脉冲电流值内，确定优先级低的调控参数值。(56)对比文件杨晓菲,于凯.3300V混合SiC IGBT模块研制与性能分析.电子与封装.2021,59-64.Zixian Zhu,Chunming Tu.Research onCharacteristics of SiC FET/Si IGBT andSiC MOSFET/Si IGBT HybridSwitchs.SPIES.2023,全文.Sivaraj Panneerselvam.Switching lossanalysis of IGBT and MOSFET in singlephase PWM inverter fed from photovoltaicenergy sources for smartcitise.International Journal of SystemAsssurance Engineering andManagement.2022,718-726.
-
公开(公告)号：CN118013908A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410424343.4
申请日：2024-04-10
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/36 , G06F17/10 , G06F119/06
Abstract: 一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法，包括以下步骤：建立导通损耗模型、开关损耗模型和过冲电流模型；基于混合器件内部单一器件的功率组合特性确定混合器件的预选组合方案；通过过冲电流模型获取预选组合方案内各SiC MOSFET的峰值电流，确定预选组合方案内满足暂态耐受能力条件的方案；基于导通损耗模型，获取不同负载电流下分别流经SiC MOSFET与IGBT的分负载电流，确定筛选后的方案中满足混合器件动态分流特性条件的方案，得到初选方案；对初选方案进行综合性能比较后得到最终选择方案。
-
公开(公告)号：CN117094270A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311356875.0
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/373 , G06F111/06
Abstract: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数综合设计方法，包括步骤S1，确定混合器件所应用开关模式；步骤S2，在步骤S1所确定的开关模式下，先定性分析调控参数对混合器件损耗和电流过冲的影响，再根据混合器件内Si IGBT和SiC MOSFET的具体型号，得出各调控参数对混合器件损耗和电流过冲影响的灵敏度大小；步骤S3，比较调控参数对混合器件损耗优化的灵敏度高低，确定调控参数降低损耗的优先级；步骤S4，采用优先级高的调控参数优化混合器件的损耗，确定优先级高的调控参数值；步骤S5，采用优先级低的调控参数抑制混合器件的电流过冲值，将峰值电流限制在混合器件预设的最大脉冲电流值内，确定优先级低的调控参数值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118013908B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410424343.4
申请日：2024-04-10
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/36 , G06F17/10 , G06F119/06
Abstract: 一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法，包括以下步骤：建立导通损耗模型、开关损耗模型和过冲电流模型；基于混合器件内部单一器件的功率组合特性确定混合器件的预选组合方案；通过过冲电流模型获取预选组合方案内各SiC MOSFET的峰值电流，确定预选组合方案内满足暂态耐受能力条件的方案；基于导通损耗模型，获取不同负载电流下分别流经SiC MOSFET与IGBT的分负载电流，确定筛选后的方案中满足混合器件动态分流特性条件的方案，得到初选方案；对初选方案进行综合性能比较后得到最终选择方案。
-
公开(公告)号：CN116317485A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211539791.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请实施例提供一种基于通态电流反馈的混合器件多模式开关控制方法，通过获取第一预设电流值和第二预设电流值，所述第一预设电流值的绝对值小于所述第二预设电流值的绝对值，当检测到电路中存在负载电流时，判断所述负载电流是否大于所述第一预设电流值，若否，控制场效应管开启工作模式，以及控制三极管关闭工作模式；若是，控制所述场效应管和所述第三极管均开启工作模式；判断所述负载电流是否大于所述第二预设电流值，若是，控制所述场效应管关闭工作模式，以及控制所述三极管开启工作模式。如此，能有效降低混合器件的功率损耗，延长晶体管混合使用的寿命。
-
公开(公告)号：CN118013913B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410424345.3
申请日：2024-04-10
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数损耗模型构建方法，包括以下步骤：获取母线电压、负载电流和结温分别对Si IGBT和SiC MOSFET的单一开关损耗函数；结合混合器件采用的开关模式，根据单一开关损耗函数构建混合器件的开关损耗模型；获取驱动电压和结温分别对Si IGBT和SiC MOSFET的单一导通电阻函数；根据不同负载电流下混合器件内各器件分流特性差异和单一导通电阻函数，搭建混合器件的导通损耗模型；将开关损耗模型和导通损耗模型作为多元调控参数损耗模型。
-
公开(公告)号：CN118013913A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410424345.3
申请日：2024-04-10
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数损耗模型构建方法，包括以下步骤：获取母线电压、负载电流和结温分别对Si IGBT和SiC MOSFET的单一开关损耗函数；结合混合器件采用的开关模式，根据单一开关损耗函数构建混合器件的开关损耗模型；获取驱动电压和结温分别对Si IGBT和SiC MOSFET的单一导通电阻函数；根据不同负载电流下混合器件内各器件分流特性差异和单一导通电阻函数，搭建混合器件的导通损耗模型；将开关损耗模型和导通损耗模型作为多元调控参数损耗模型。
-
公开(公告)号：CN117097113A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311074131.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 基于混合功率器件疲劳累积效应的多开关模式切换方法，包括以下步骤：获取最小损耗开关模式和结温平衡开关模式下三维安全工作区对应的二维映射图；根据二维映射图获取健康状态安全工作区和非健康状态安全工作区；以额定工作点为基准，当逆变器的工作状态从区域A切换至区域B时，开关模式从最小损耗开关模式切换至结温平衡开关模式；在非健康状态安全工作区内，当逆变器的工作状态从区域C切换至收窄区域D时，开关模式从最小损耗开关模式切换至结温平衡开关模式。本发明保证了逆变器在非健康状态时仍然可以维持额定功率运行，且其在混合器件全寿命周期内的可靠性得到了有效保障。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
