-
公开(公告)号：CN117314915B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311608191.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构加工的原位检测方法、设备及存储介质，包括与加工激光同轴的非相干层析成像采集过程、实际成像系统三维点扩散函数仿真方法、恢复图像堆栈分辨率方法及微结构的三维重建方法等。根据搭建的成像系统组成部件，仿真匹配实际成像系统在样品内不同深度层析成像过程中的三维点扩散函数。通过控制显微物镜沿Z向按奈奎斯特采样要求的固定步长逐次移动并层析采集包含样品内微结构的图像堆栈，利用仿真得到的三维点扩散函数进行动态规划三维反卷积恢复采集的图像堆栈原始信息估计。基于加工微结构的先验知识处理恢复的图像堆栈，重建样品内微结构的三维体积。本发(56)对比文件池汉彬.超构表面在三维成像与显示技术中的应用《.光学精密工程》.2022,第30卷(第15期),第1775-1801页.Mikhail E. Kandel et al..Epi-illumination gradient light interferencemicroscopy for imaging opaque structures.《nature communications》.2019,第1-9页.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115770960B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202211465176.5
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种含背金层半导体材料的复合切割工艺，其包括以下步骤：1)、采用砂轮对半导体材料的背金层进行切割形成切割槽；2)、采用激光内部改质切割工艺对半导体材料进行激光内切；激光的入射表面背离所述背金层，且激光的切割路径对应于所述切割槽；3)、对半导体材料进行裂片处理，将半导体材料分离为若干片。采用本发明的复合切割工艺获得了良好的切割表面，直线度≤10μm、崩边/崩角≤10μm，而且没有出现背金层与4H‑SiC无明显分层。
-
公开(公告)号：CN117620474A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311693039.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种工艺参数寻优方法、终端设备及存储介质，基于深度神经网络对超快激光内部改质加工产生的微通道进行轴向层析成像和分析，判断当前加工结果是否满足预期加工要求，比较“合格”加工结果和当前加工结果对应高维空间欧几里得方向和距离，通过设备加工工艺参数设定指令修改特定工艺参数，优化加工结果，循环执行直至满足预期加工要求。
-
公开(公告)号：CN117516869A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311390919.1
申请日：2023-10-25
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种激光光斑分析装置。所述激光光斑分析装置包括显微物镜、与所述显微物镜垂直设置的光管、将显微物镜接收的激光垂直反射至光管中的反射镜、及用于接收穿过光管中的激光并分析的光斑探测相机，其特征在于，还包括多个衰减片，自所述光管朝向反射镜的一端设置多个所述衰减片；所述衰减片的一面为A面，另一面为B面，所述A面为向B面倾斜的斜面，所述A面朝向或背向所述反射镜设置，多个衰减片的A面在同一侧。本发明将多个衰减片依次设置，这种多片联用的结构能够更好地降低入射激光、避免达到光斑探测相机的饱和功率密度。
-
公开(公告)号：CN117314915A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311608191.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构加工的原位检测方法、设备及存储介质，包括与加工激光同轴的非相干层析成像采集过程、实际成像系统三维点扩散函数仿真方法、恢复图像堆栈分辨率方法及微结构的三维重建方法等。根据搭建的成像系统组成部件，仿真匹配实际成像系统在样品内不同深度层析成像过程中的三维点扩散函数。通过控制显微物镜沿Z向按奈奎斯特采样要求的固定步长逐次移动并层析采集包含样品内微结构的图像堆栈，利用仿真得到的三维点扩散函数进行动态规划三维反卷积恢复采集的图像堆栈原始信息估计。基于加工微结构的先验知识处理恢复的图像堆栈，重建样品内微结构的三维体积。本发明成本较低、对样品无损伤、操作更加灵活，适用性更强。
-
公开(公告)号：CN115770960A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211465176.5
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种含背金层半导体材料的复合切割工艺，其包括以下步骤：1)、采用砂轮对半导体材料的背金层进行切割形成切割槽；2)、采用激光内部改质切割工艺对半导体材料进行激光内切；激光的入射表面背离所述背金层，且激光的切割路径对应于所述切割槽；3)、对半导体材料进行裂片处理，将半导体材料分离为若干片。采用本发明的复合切割工艺获得了良好的切割表面，直线度≤10μm、崩边/崩角≤10μm，而且没有出现背金层与4H‑SiC无明显分层。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.015 seconds)
