-
公开(公告)号：CN108899315B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
-
公开(公告)号：CN108807373B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810661331.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
-
公开(公告)号：CN109065538B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811162797.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多指SCR静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有第一P阱、第一N阱、第三P阱、第二N阱和第四P阱及第五P阱，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱和第五P阱均设有P+注入区、N+注入区和氧隔离区，第一N阱和第二N阱中均分别设有N+注入区和氧隔离区，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱、第五P阱、第一N阱和第二N阱上均连接有一金属层，与第一P阱、第二P阱、第四P阱、第五P阱连接的金属层上均设有第一电极，与第三P阱连接的金属层上设有第二电极，第一电极和第二电极分别为多指SCR静电保护器件的阳极和阴极。本发明能有效改善多指SCR静电保护器件的触发不均匀特性，提高了多指SCR静电保护器件内部的电压调节性能。
-
公开(公告)号：CN109860638A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910010568.4
申请日：2019-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米多孔Ag2Al材料、制备方法及应用。通过结合合金熔融与选择性腐蚀过程，实现了Ag2Al材料的快速、规模化制备，得到条带或粉体纳米多孔催化剂。所得纳米多孔Ag2Al材料具有优异的电子传输能力，三维多通道孔结构和高比表面积，可直接作为“结构-功能”一体化电极。电化学测试表明，纳米多孔Ag2Al具有优异的氧还原催化活性，在电化学催化领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108899314A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108649028A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810496599.0
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区，第二P阱内设有第四N+注入区以及第五P+注入区，第三P+注入区与阳极相连，第一P+注入区和第五P+注入区均与阴极相连，第二多晶硅栅和第三多晶硅栅均与栅极相连。本发明提出的静电保护器件，可有效降低触发电压，提高静电泄放电流能力，满足高压功率集成电路的鲁棒性要求。
-
公开(公告)号：CN114643072B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111401690.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料的可控制备方法。本发明制备的复合材料以三维多孔双非金属掺杂的MXenes纳米片为基底，掺杂金属元素以单原子的形式锚定在上述纳米片上。同时，该制备方法简单、快捷高效，具有普适性，能够制备一系列不同金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料。
-
公开(公告)号：CN108899314B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
-
公开(公告)号：CN111584646B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010452327.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外热电子光探测器及其制备方法，该近红外热电子光探测器包括：n型的SOI片，所述SOI片作为基底，所述SOI片的顶层硅膜厚度为5～20微米，所述SOI片内设有埋氧层，所述SOI片内部的下方设有减薄区，所述减薄区将所述埋氧层隔断，所述减薄区的外周设有底电极；纳米电极，所述纳米电极设于所述顶层硅膜上，所述纳米电极与所述顶层硅膜形成肖特基结；氮化硅保护层，所述氮化硅保护层设于所述顶层硅膜上，且所述氮化硅保护层将所述纳米电极包裹住，所述氮化硅保护层上设有用于连接外部电路的接触孔。本发明能够减少热电子输运过程中的散射损失，提升器件的光电响应率和响应速度。
-
公开(公告)号：CN109346462B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811162796.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，主要由衬底P‑SUB，双阱工艺中的第一N阱、第二N阱和P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二P+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区，薄栅氧和多晶硅栅构成。本发明的ESD保护器件的阴极嵌入PMOS的SCR结构，形成了一条电流的泄放路径，这条泄放路径削弱了SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的SCR结构的维持电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.024 seconds)
