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公开(公告)号：CN116400562A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310139800.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 湖南大学
Inventor： 樊帆 , 叶湘林
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度的正弦摆线型衍射波片的光学压印制备方法，通过带有至少两层扭曲结构的正弦摆线型衍射波片作为偏振转换衍射波片来提高光学制备的精度，实现百纳米量级正弦摆线周期结构的光学压印。解决了基于偏振全息曝光系统制备正弦摆线型衍射波片速度慢、抗环境干扰能力差、进一步扩大曝光系统成本和难度高等限制批量生产的问题。
