公开(公告)号：CN118888574A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410859081.4

申请日：2024-06-28

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  何鹏辉 ,  刘兴强 ,  邹旭明

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种栅绝缘层结构及具有该栅绝缘层结构的晶体管。所述栅绝缘层结构包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层的材料为(MO)x(RO)y，0.001＜x＜1，0.0001≤y≤0.3，x+y＝1；MO为基质氧化物，RO为铽或者镨的氧化物，R为铽或者镨中的一种或两种；所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钪、氧化钇、氧化钛中的一种或多种。本发明充分发挥铽或镨元素低电荷转移跃迁能的特性，提供良好的载流子输运性能，实现高的载流子迁移率；通过铽或者镨离子与沟道层之间的电荷转移跃迁来促进沟道中离域电子的弛豫，提高薄膜晶体管NBIS稳定性。