公开(公告)号：CN115894085B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211424050.3

申请日：2022-11-15

Applicant: 湖南博望碳陶有限公司

Inventor： 张西岩 ,  蒋军军 ,  彭国强

IPC: C04B41/89

Abstract: 本发明涉及一种复合陶瓷涂层材料及其制备方法和应用。根据本发明的复合陶瓷涂层材料，包括碳/碳坯体，所述碳/碳坯体内部具有孔隙，碳/碳坯体的外表面以及内部孔隙表面均设有纳米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层，外表面的纳米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层表面还设有微米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层，具有优良的抗硅化腐蚀和抗氧化性能。本发明还提供了上述复合陶瓷涂层的制备方法，以及由上述复合陶瓷涂层材料制备的埚邦。

公开(公告)号：CN115894085A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211424050.3

申请日：2022-11-15

Applicant: 湖南博望碳陶有限公司

Inventor： 张西岩 ,  蒋军军 ,  彭国强

IPC: C04B41/89

Abstract: 本发明涉及一种复合陶瓷涂层材料及其制备方法和应用。根据本发明的复合陶瓷涂层材料，包括碳/碳坯体，所述碳/碳坯体内部具有孔隙，碳/碳坯体的外表面以及内部孔隙表面均设有纳米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层，外表面的纳米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层表面还设有微米SiC‑ZrC陶瓷复合涂层，具有优良的抗硅化腐蚀和抗氧化性能。本发明还提供了上述复合陶瓷涂层的制备方法，以及由上述复合陶瓷涂层材料制备的埚邦。

公开(公告)号：CN105503270B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201510956009.4

申请日：2015-12-17

Applicant: 湖南博望碳陶有限公司

Inventor： 蒋军军 ,  金辉亚 ,  赵倩倩 ,  彭国强

IPC: C04B41/87 ,  C08G77/60

Abstract: 本发明涉及一种SiC涂层的制备方法；特别涉及一种通过CVI工艺和PIP工艺制备碳化硅涂层的方法。本发明将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃、优选为700～800℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件后，在真空气氛或保护气氛下于1500～1600℃进行烧结，得到带β碳化硅涂层的工件。本发明所得涂层质量好、制备周期短、制备工艺简单，便于产业化应用。

公开(公告)号：CN105503270A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510956009.4

申请日：2015-12-17

Applicant: 湖南博望碳陶有限公司

Inventor： 蒋军军 ,  金辉亚 ,  赵倩倩 ,  彭国强

IPC: C04B41/87 ,  C08G77/60

CPC classification number: C04B41/5059 ,  C04B41/009 ,  C04B41/87 ,  C08G77/60 ,  C04B35/522 ,  C04B35/83 ,  C04B35/00 ,  C04B41/4554 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4515

Abstract: 本发明涉及一种SiC涂层的制备方法；特别涉及一种通过CVI工艺和PIP工艺制备碳化硅涂层的方法。本发明将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃、优选为700～800℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件后，在真空气氛或保护气氛下于1500～1600℃进行烧结，得到带β碳化硅涂层的工件。本发明所得涂层质量好、制备周期短、制备工艺简单，便于产业化应用。