公开(公告)号：CN110560022A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910705688.6

申请日：2019-08-01

Applicant: 湖南农业大学 ,  湖南省核农学与航天育种研究所

Inventor： 赵彩凤 ,  杨亚辉 ,  罗琳 ,  邵赛 ,  邵颖 ,  张乐平

IPC: B01J21/06 ,  B01J23/30 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明实施例提供了氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，该方法解决了现有技术中，制备氧空位型半导体材料时存在的对设备要求高，有安全隐患，制备过程中会引入难以消除的杂质元素的问题，安全可靠性高，设备要求低，试剂易得，工艺流程简单，易于推广，通过本发明实施例的方法制备得到的氧空位型半导体材料，光电化学活性高于现有技术制备的同种材料，本发明实施例的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制辐射剂量即可得到不同含量的氧空位的半导体催化剂。