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公开(公告)号：CN106253875A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610881227.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 湖南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种高通量压电谐振芯片制备方法及其测量系统。该高通量压电谐振芯片制备方法包括一基片(108)，基片上置入多个压电谐振片(101)，各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成，各压电谐振片的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104)，工作电极及背面电极的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接，且各压电谐振片周围使用柔性粘合层(106)连接基片。本发明不仅可消除压电谐振片之间的干扰，且可消除或大大减小安装过程中产生的应力与阻尼，从而实现稳定性高、灵敏度高、操作简便、精度较高、免标记、连续监测、无相互干扰高通量压电谐振传感器的制造。
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公开(公告)号：CN106253875B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201610881227.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 湖南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种高通量压电谐振芯片及其测量系统。该高通量压电谐振芯片制备方法包括一基片(108)，基片上置入多个压电谐振片(101)，各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成，各压电谐振片的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104)，工作电极及背面电极的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接，且各压电谐振片周围使用柔性粘合层(106)连接基片。本发明不仅可消除压电谐振片之间的干扰，且可消除或大大减小安装过程中产生的应力与阻尼，从而实现稳定性高、灵敏度高、操作简便、精度较高、免标记、连续监测、无相互干扰高通量压电谐振传感器的制造。
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公开(公告)号：CN206077343U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621104733.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 湖南农业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种高通量压电谐振芯片及其测量系统。该高通量压电谐振芯片包括基片(108)，基片上置入多个压电谐振片(101)，各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成，各压电谐振片的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104)，工作电极(103)及背面电极(104)的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接，且各压电谐振片周围使用柔性粘合层(106)连接基片。本实用新型不仅可消除压电谐振片之间的干扰，且可消除或大大减小安装过程中产生的应力与阻尼，从而实现稳定性高、灵敏度高、操作简便、精度较高、免标记、连续监测、无相互干扰高通量压电谐振传感器的制造。
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