高效率、高热稳定性的远红光发射荧光粉及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117778004B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202311656164.5

    申请日:2023-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种高效率、高热稳定性的远红光发射荧光粉及其制备方法与应用,其化学通式为MZrβGe1‑βNO6:xCr3+;其中,M代表(GdαY1‑2αLaα),α为Ga和La元素取代Y元素的摩尔数;β为Zr元素取代Ge元素的摩尔数;N代表(SbγNb1‑γ),γ为Sb元素取代Nb元素的摩尔数;x为Cr3+的掺杂百分数;0.1≤α≤0.4,0.3≤β≤0.6,0.1≤γ≤0.5,0.001≤x≤0.005。本发明的荧光粉粒径平均在30±2μm内,微粒呈现为规则的粒状结构,激发峰位于450‑500nm,其量子产率高达97%。本发明所述荧光粉可与近紫外和蓝光芯片相匹配;发射峰位于600‑800nm之间,在150℃工作温度下能保持优异的稳定性,通过控制α,β的比例,可以实现光谱的精准调控,能够针对植物需求调整发射峰位置;由其所封装的灯具可应用于植物照明领域。

    高效率、高热稳定性的远红光发射荧光粉及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117778004A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311656164.5

    申请日:2023-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种高效率、高热稳定性的远红光发射荧光粉及其制备方法与应用,其化学通式为MZrβGe1‑βNO6:xCr3+;其中,M代表(GdαY1‑2αLaα),α为Ga和La元素取代Y元素的摩尔数;β为Zr元素取代Ge元素的摩尔数;N代表(SbγNb1‑γ),γ为Sb元素取代Nb元素的摩尔数;x为Cr3+的掺杂百分数;0.1≤α≤0.4,0.3≤β≤0.6,0.1≤γ≤0.5,0.001≤x≤0.005。本发明的荧光粉粒径平均在30±2μm内,微粒呈现为规则的粒状结构,激发峰位于450‑500nm,其量子产率高达97%。本发明所述荧光粉可与近紫外和蓝光芯片相匹配;发射峰位于600‑800nm之间,在150℃工作温度下能保持优异的稳定性,通过控制α,β的比例,可以实现光谱的精准调控,能够针对植物需求调整发射峰位置;由其所封装的灯具可应用于植物照明领域。

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