公开(公告)号：CN107324374A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710529714.5

申请日：2017-07-02

Applicant: 湖北工程学院

Inventor： 熊良斌 ,  余华清 ,  肖永军 ,  王波云 ,  方绍桦 ,  李双明

IPC: C01G3/02

CPC classification number: C01G3/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/40

Abstract: 本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，本发明涉及一种氧化亚铜(Cu2O)薄膜的简单制备方法。本发明通过采用含氯离子的氯化钠、氯化钾等为前驱物，使用水热法在金属铜片衬底上原位生长Cu2O薄膜，并能进行快速规模化的生产。方法是将金属铜片浸入一定浓度的含有氯离子的盐溶液中，在一定温度下保持一定时间，即可得到原位生长的Cu2O薄膜。通过简单的水热法制备方法得到的Cu2O薄膜在光伏器件、锂离子电池和光催化剂、杀菌剂领域具有潜在的应用。