公开(公告)号：CN118263351A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410358517.1

申请日：2024-03-27

Applicant: 湖北大学

Inventor： 吴聪聪 ,  魏慧丽 ,  李金华 ,  刘宏 ,  冀翔宇 ,  操金国 ,  潘泽洵 ,  宋欣 ,  李静 ,  王世敏

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请属于光电探测器技术领域，更具体地，涉及一种垂直结构紫外‑可见光光电探测器及其制备方法。该光电探测器自下而上依次设置有高掺杂硅片层、高陷阱态密度的二氧化硅层、金属电极、石墨烯薄膜以及吸光材料层，其中，石墨烯薄膜与吸光材料层结合形成异质结，促进光生载流子的分离与传输，促使电荷的收集与转移。同时，高陷阱态密度的二氧化硅层在一定端电压下，电导率增加，出现半导体态，从而增加异质结端电荷注入的几率，增大光电探测器产生的光电流，通过部件间的相互配合，使得光电探测器对紫外‑可见光宽波段光具有优异的响应度和探测灵敏度，且成像速度快、清晰度高。

公开(公告)号：CN119698097A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311220262.4

申请日：2023-09-21

Applicant: 湖北大学

Inventor： 李金华 ,  潘泽洵

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/12 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明提供了一种可实现高性能红外探测的量子点光电晶体管及其制备工艺，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、金属电极对、ZnO薄膜、Ag2Te量子点、以及高速中心旋涂法。本发明采用的高速中心旋涂方法技术，制备了基于Ag2Te胶体量子点的高性能光电探测器，探测器具有Ag2Te/ZnO的简易晶体管结构，通过栅极电压和沟道电压的调控，加速载流子传输，进而提高了器件的性能，使器件在可见光到近红外都有优异的性能，并且在660nm的入射光下，具有超高的响应率(2050 A/W)和探测率(4.8×1013 Jones)，940nm的入射光下，具有超高的响应率(2450 A/W)和探测率（6.8×1013 Jones)。

公开(公告)号：CN115720481A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202110971133.3

申请日：2021-08-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 戴维德仁 ,  李金华 ,  潘泽洵 ,  王贤保 ,  邹俊杰

IPC: H10K71/12 ,  H10K30/50 ,  H10K99/00 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明属于太阳能电池材料与技术领域，具体涉及一种二氧化锡胶体、电子传输层、钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明采用磷酸三丁酯为二氧化锡掺杂剂改善其钙钛矿太阳能电池电子传输层，提升其电子迁移率，进而提升电子传输性能，减少薄膜内部缺陷，达到提升器件性能的目的。