一种测定三甲基一氯硅烷中硝酸根离子、硫酸根离子和磷酸根离子含量的方法

    公开(公告)号:CN119510611A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411511508.8

    申请日:2024-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种测定三甲基一氯硅烷中硝酸根离子、硫酸根离子和磷酸根离子含量的方法,属于有机硅前驱体原料检测技术领域。所述的方法主要是将三甲基一氯硅烷与水混合,于恒温水槽中充分水解后,萃取得水相,水相经过反相前处理柱去除样品中残留的有机物,然后加入氧化银粉末混合除去样品中的氯离子,然后取上清液与阳离子交换树脂混合去除样品中过量银离子,最后采用离子色谱法检测样品中硝酸根离子、硫酸根离子和磷酸根离子含量。本发明样品前处理方法简便易操作,该方法的回收率范围为90%~110%,准确性高,解决了三甲基一氯硅烷中阴离子难以测定的问题,为三甲基一氯硅烷中硝酸根离子、硫酸根离子、磷酸根离子含量检测提供科学的技术手段。

    一种磷烷的金属检测方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117347465A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311194125.8

    申请日:2023-09-15

    Abstract: 本发明属于磷烷的金属检测领域,提供了一种磷烷的金属检测方法,使用ICP‑MS分析仪器,将样品稀释适当倍数注入到电感耦合等离子体中,将金属元素离子化,通过质谱仪将离子根据其质荷比分离,并使用相应的离子探测器进行信号检测和计数,得到未加标样品待测元素的响应值。选择适当浓度的内标元素加入到样品中。选择适当浓度梯度的待测元素标准液加入到样品中,并检测,得到若干个标准点。以待测元素的响应值与内标元素响应值之比为y轴,待测元素与内标元素的浓度之比为x轴绘制内标校正标准曲线。本发明解决了磷烷取样前处理的问题,并通过使用ICP‑MS优化仪器参数后检测,具有较高的准确性和精确度,可以提供可靠的分析结果。

    一种高纯四甲基硅烷连续化生产工艺

    公开(公告)号:CN117510534A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311275325.6

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种高纯四甲基硅烷的连续化生产工艺,对有机硅低沸原料进行精馏脱重除杂处理,除去原料中氯代硅烷等沸点较高的组分;对脱重除杂后的物料进行精馏脱轻除杂处理,脱轻塔用于脱除小分子烷烃、氯代烷烃、烯烃等沸点较低的组分;对脱重脱轻后的物料进行吸附除杂处理,除去与四甲基硅烷沸点接近的组分以及经精馏除杂步骤未完全除去的残余杂质组分;对吸附除杂后的产品进行冷凝充装。本发明能将低沸原料中大部分杂质组分除去;所用金属有机骨架吸附剂材料孔径为3.8‑7.1Å,在有机硅低沸环境中能保持稳定的结构,所用13X型沸石分子筛对不饱和烯烃杂质的吸附效果明显,吸附剂可脱附后重复使用,该工艺可将成品中的四甲基含量提高到99.99%以上。

    一种氯化氢直接生产电子级盐酸的方法

    公开(公告)号:CN119100335A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411264952.4

    申请日:2024-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种氯化氢直接生产电子级盐酸生产方法,包括如下步骤:(S1)从氯碱合成炉中制备的工业氯化氢采用浓硫酸喷洒逆流洗气,脱除水分和金属离子;(S2)由步骤(S1)所得到的气体通过吸附柱脱除氯气杂质;(S3)由步骤(S2)所得到的气体所得到的气体采用两级盐酸饱和溶液洗气进一步脱除金属离子;(S5)由步骤(S4)所得到的气体经超纯水循环吸收和过滤,制备出金属离子含量在10ppt内的电子级的盐酸。相对于传统的工业盐酸制备电子级盐酸,通过直接利用氯化氢气体,减少了精馏工艺高耗能,流程长,成本高且操作点位多的问题,值得行业推广。

Patent Agency Ranking