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公开(公告)号：CN119034621A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535501.X
申请日：2024-10-31
Applicant: 清源创新实验室
Abstract: 本发明涉及气固连续反应技术领域，尤其涉及一种高效的气固连续流动反应方法，包括以下步骤：第一步，设置一螺旋管段，螺旋管段包括进口端及出口端，螺旋管段外设置有温度控制装置，进口端连接一供料管道，供料管道的中部处上设置一供料机构，供料管道上连接有供气机构，出口端上设置有气固分离器；第二步，对螺旋管段进行预热，达到预设温度；第三步，输入粉体物料，通入高速的反应气体；第四步，经过螺旋管段的粉体物料由出口端输出进入气固分离器后实现分离。其解决了分散性差的微纳米粘性粉料无法进行高效连续反应的技术问题，适用于较长反应停留时间的气固连续流动反应。并基于此提出一种高效的气固连续流动反应装置。
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公开(公告)号：CN119140018A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411669333.3
申请日：2024-11-21
Applicant: 清源创新实验室
Abstract: 本发明涉及流态化反应领域，尤其涉及一种停留时间可控的多级振动流态化气固连续反应装置，包括机架、反应料仓及振动装置，反应料仓利用隔板区隔形成至少两个仓室及出料室，相邻仓室之间通过第一连通口进行连通，且出料室与相邻的仓室之间通过第二连通口进行连通；各仓室上设置有出气口，各仓室的下端上设置有进气口，各出气口上设置有过滤机构，除了最远离出料室的仓室外，各仓室的出气口与相邻的仓室的进气口通过连接管相连通；反应料仓下端上设置有透气支撑板件。本发明可根据反应工艺条件对气固反应物料的接触时间进行有效调控，气固反应进行彻底，且粉料适用性高，解决了现有气固慢反应体系存在难以实现连续反应和反应效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN118600391A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411088241.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 清源创新实验室
IPC: C23C16/442 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 本发明涉及材料镀覆领域，尤其涉及一种原子层沉积技术，更具体地，涉及一种实现粉末表面原子级薄膜生长的装置，包括反应腔体、排气机构及粉末供给装置；所述反应腔体的侧壁上设置有多个加热组件与多个拉瓦尔喷嘴，所述反应腔体的中部处设置有搅拌机构；通过多个拉瓦尔喷嘴形成的高速射流与搅拌的双重强化作用下，反应腔体中团聚的微纳米颗粒得到解聚，同时颗粒能够与反应气体充分接触并快速发生沉积反应，进而在颗粒表面精准形成高保型性的原子级薄膜。此方案结构紧凑，操作容易，其解决了高黏性微纳米粉末原子级包覆均匀性差的技术问题。基于此，还提出一种实现粉末表面原子级薄膜生长的方法。
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公开(公告)号：CN117630302A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410105532.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 清源创新实验室
Abstract: 本发明涉及液体反应的测定技术领域，提供一种液‑液非均相本征反应动力学参数的测定装置及方法，解决液‑液非均相反应过程中不能保持分散状态和稳定的温度，并且达到设定反应时间后不能快速淬灭的问题，包括物料输入系统、第一预热系统、反应通道、超声波发生装置、淬灭剂原料罐、反应液接收器和多根输送管；反应通道包括依次连通设置的快速分散段、反应控制段和反应淬灭段；物料输入系统、第一预热系统、反应通道及反应液接收器通过不同输送管依次相连；淬灭剂原料罐和反应通道的反应淬灭段通过不同输送管依次相连；超声波发生装置包括内部盛有换热介质的壳体和设在壳体内部的超声波发生器，反应通道设在壳体内的超声场中。
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公开(公告)号：CN120001324A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510456583.7
申请日：2025-04-12
IPC: B01J19/24 , B01J19/00 , B01J4/00 , B01J4/02 , C07C201/08 , C07C205/06
Abstract: 本发明涉及一种水力剪切式反应强化装置及应用，包括物料输送设备、水力剪切反应器、分层罐以及用以控制水力剪切反应器和分层罐温度的温控装置；所述物料输送装置包括硫酸罐、硝酸罐和甲苯罐，甲苯罐经管路和输送泵与水力剪切反应器的甲苯进料口连接，水力剪切反应器的混酸进料口连接有混酸上料管，所述硫酸罐、硝酸罐分别经管路和输送泵与混酸上料管连接；水力剪切反应器底部设有反应器出口反应器出口和分层罐进口通过管路连接。本发明甲苯硝化反应在水力剪切式反应器内进行，保证了油水两相的均匀分散和快速反应，提高了原料的转化率，可实现采用较小的甲苯和混酸质量比完成甲苯连续快速硝化，转化率高，选择性好，不会发生热量累积，安全可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118600391B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411088241.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 清源创新实验室
IPC: C23C16/442 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 本发明涉及材料镀覆领域，尤其涉及一种原子层沉积技术，更具体地，涉及一种实现粉末表面原子级薄膜生长的装置，包括反应腔体、排气机构及粉末供给装置；所述反应腔体的侧壁上设置有多个加热组件与多个拉瓦尔喷嘴，所述反应腔体的中部处设置有搅拌机构；通过多个拉瓦尔喷嘴形成的高速射流与搅拌的双重强化作用下，反应腔体中团聚的微纳米颗粒得到解聚，同时颗粒能够与反应气体充分接触并快速发生沉积反应，进而在颗粒表面精准形成高保型性的原子级薄膜。此方案结构紧凑，操作容易，其解决了高黏性微纳米粉末原子级包覆均匀性差的技术问题。基于此，还提出一种实现粉末表面原子级薄膜生长的方法。
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公开(公告)号：CN118255648A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410398963.5
申请日：2024-04-03
Abstract: 本发明公开了一种从异龙脑出发耦合异构化反应和加氢反应高选择性合成龙脑的方法。通过异龙脑异构化反应可以直接合成龙脑，但异构化过程中也伴随着异龙脑脱氢生成樟脑的副反应。本研究制备了一款廉价的、兼具异构化活性和加氢活性的双功能催化剂，创新性地耦合了催化异龙脑异构化反应和中间产物樟脑的加氢反应，一步反应高效、高选择性地合成龙脑，解决了目前催化异龙脑异构化反应效率低下且纯度低的问题。本发明通过调控非贵金属活性中心种类及载体的酸性，在最优条件下催化异龙脑反应时，产物中龙脑含量可达55%以上，满足国家药典委员会的要求，且无副反应莰烯生成。本方法使用非贵金属作为活性中心，催化剂成本低廉，适宜进行工业化生产。
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公开(公告)号：CN118111760A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410396160.6
申请日：2024-04-03
Abstract: 本发明涉及一种流化床中粉末聚团的低损取样装置和方法，包括流化床，还包括脉冲产生模块、取样模块以及沉降分散模块，所述取样模块的一端与流化床的取样端口相连接，取样模块的另一端与沉降分散模块相连接；所述脉冲产生模块与流化床的脉冲进气接口相连接，流化床内的样品经脉冲气流吹扫至取样模块并进入沉降分散模块内。采用非接触式的脉冲气流吹扫取样手段，有效地降低了取样对粉末聚团结构造成的破坏，显著提升了取样结果的真实性与准确性，有助于流化床工艺的过程控制优化和内聚性粉末流态化行为的科学研究。
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公开(公告)号：CN117820128A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311787810.1
申请日：2023-12-22
Applicant: 清源创新实验室
IPC: C07C209/36 , C07C211/46 , B01J27/24
Abstract: 一种非金属催化剂催化的硝基芳烃加氢制备芳香胺的方法，以各类硝基芳烃化合物为原料，在有机溶液中以非金属材料为催化剂，在高压釜中进行加氢反应；该反应过程避免了金属催化剂的使用，降低了催化剂的成本，对各类硝基芳烃化合物均有较好的适用性，所得芳香胺收率也较高；当使用四氯化碳和乙二胺作为起始原料，在SBA‑15作为模板剂下碳化形成的氮掺杂碳材料具有最优异的加氢性能，催化硝基苯加氢时，在230℃，2MPa H2下反应8h，硝基苯几乎完全转化，苯胺收率大于99％。
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公开(公告)号：CN119034621B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411535501.X
申请日：2024-10-31
Applicant: 清源创新实验室
Abstract: 本发明涉及气固连续反应技术领域，尤其涉及一种高效的气固连续流动反应方法，包括以下步骤：第一步，设置一螺旋管段，螺旋管段包括进口端及出口端，螺旋管段外设置有温度控制装置，进口端连接一供料管道，供料管道的中部处上设置一供料机构，供料管道上连接有供气机构，出口端上设置有气固分离器；第二步，对螺旋管段进行预热，达到预设温度；第三步，输入粉体物料，通入高速的反应气体；第四步，经过螺旋管段的粉体物料由出口端输出进入气固分离器后实现分离。其解决了分散性差的微纳米粘性粉料无法进行高效连续反应的技术问题，适用于较长反应停留时间的气固连续流动反应。并基于此提出一种高效的气固连续流动反应装置。
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