公开(公告)号：CN117566694A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311553813.9

申请日：2023-11-21

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  李倩

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种三元Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明利用化学气相沉积法，以碲化锑粉末和单质硒粉作为蒸发源，氩气作为沉积反应气氛，通过调控生长源的比例、位置以及反应温度，得到了成分可调、高质量的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片成分可调，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN119370806A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411566405.1

申请日：2024-11-05

Applicant: 清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  虞文倩

IPC: C01B19/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，提供一种通过分解Sb2Te3粉末制备Te纳米带的方法，解决目前制备的一维Te纳米材料制备质量不高、制备的结构形貌不符合应用需求的问题，所述方法包括以下步骤：1)用石英舟盛放碲化锑粉末，并置于水平管式炉的加热中心处，将作为衬底置于盛放碲化锑粉末的石英舟上方；2)将氢气与氩气一同作为材料反应生长的气氛通入进行反应的水平管式炉内的石英管内，并调整气体混合比例与流速，设定加热温度与时间，开启管式炉，使石英管内进行气相沉积反应，待管式炉程序结束之后取出衬底，衬底表面即是生长的Te纳米带。

公开(公告)号：CN118727137A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410929701.7

申请日：2024-07-11

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  王慧 ,  杨顺航 ,  林森

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0392 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN117577706A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311545459.5

申请日：2023-11-20

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  李倩

IPC: H01L31/032 ,  C23C16/30 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种碲化锑‑硒化锰垂直异质结及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。利用化学气相沉积法先于云母表面生长二维MnSe纳米片，然后将生长有MnSe纳米片的云母作为衬底，以碲化锑粉末作为蒸发源，氩氢混合气作为沉积反应气氛，进行二次沉积制得Sb2Te3‑MnSe垂直异质结纳米材料，为垂直堆叠层状结构，其中底层为MnSe纳米片，底层上堆叠Sb2Te3层。Sb2Te3较低的生长温度不会破坏类如MnSe的TMDs半导体材料晶格结构，工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2Te3‑MnSe质量高，对于研究纳米级光电子学器件具有重要的意义。