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公开(公告)号：CN102093820B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110002321.1
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
Abstract: 本发明公开了属于在半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高稳定性的硅晶片化学机械抛光组合物。该抛光组合物各组分及其含量为：二氧化硅磨粒：0.5～50wt％；含硅稳定剂：0.01～10wt％；有机碱腐蚀剂：0.01～20wt％；有机酸螯合剂：0.01～10wt％；其它功能助剂：0.01～5.0wt％；去离子水：余量；该种抛光液稳定时间2年以上；进行重复抛光或循环抛光，pH值和去除速率亦能保持稳定，循环抛光次数可达10次。同时对硅片去除率大，可达到1.0μm/min以上，多次循环抛光去除率稳定。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，适合于半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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公开(公告)号：CN102127373B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110002322.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明公开了属于半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法。该抛光组合物的主体组成成分为二氧化硅溶胶磨料、有机碱、功能助剂为有机硅类稳定剂、有机硅类分散剂、有机酸螯合剂和润湿剂；其中使用的有机硅类的稳定剂和分散剂类，使硅片粗抛光时具有去除速率高以及划伤较少的特点。本发明抛光液去除速率高，多次抛光去除速率稳定；进行大批量抛光时，性能稳定，团聚少，抛光产物在抛光垫上残留少，平均硅片划伤率在3％以内。使用该种抛光液长时间生产性能稳定，产品合格率和生产效率都得到提高。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，可适合半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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公开(公告)号：CN102173426B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110002320.7
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明公开了属于电子制造及SiO2胶体制备技术领域的一种均匀度高的二氧化硅溶胶的制备方法。在超声波作用下，制备硅溶胶种粒液，并在超声波作用下，向硅溶胶种粒液中分批次加入反应物料，其中，每一批次加入的反应物料为碱性催化剂的水溶液和金属硅粉，每一批次加入的碱性催化剂的水溶液中碱性催化剂的量为溶液中已加入的碱性催化剂重量的2～40％，每一批次加入的金属硅粉的量为溶液中已加入的金属硅粉重量的2～40％；反应完成后，除去未反应的金属硅粉，制得二氧化硅溶胶；所使用的超声波频率范围在20kHz～50MHz。本发明的方法可降低生产成本，同时提高产品的纯度；制备过程安全可靠、所需仪器简单、操作方便、经济高效。
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公开(公告)号：CN102140313A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110002319.4
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域的一种原位组合磨粒铜抛光组合物，其包括去离子水、有机-无机原位组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、pH调节剂、界面反应助剂、表面活性剂、杀菌剂以及抛光促进剂，其中所述的有机-无机原位组合磨粒为原位形成的以有机颗粒为内核，无机颗粒为表面包覆层的类核壳结构组合磨粒。本发明的化学机械抛光组合物可以在长、短程表面作用力协同作用下，原位形成以有机颗粒为内核，无机颗粒为表面包覆层的类核壳结构组合磨粒，在研磨颗粒浓度较低的条件下实现金属表面高去除、低划伤、高表面精度的抛光过程。
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公开(公告)号：CN102101674B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110002323.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
IPC: C01B33/14 , C01B33/141
Abstract: 本发明公开了属于材料制备技术领域的一种制备硅溶胶的方法。将金属硅粉、碱和去离子水加入混合器中，通入热蒸汽进行物料混匀及加热，得到二氧化硅溶胶种粒子；以制备的二氧化硅溶胶种粒子为母液，分批次加入反应物料，通入热蒸汽进行物料混匀及加热；反应完成后，去除未反应的金属硅粉，得到硅溶胶。本发明采用通热蒸汽的方式从反应釜底部供热，通过热气流将热蒸汽热量迅速、均匀传递到整个反应体系，克服夹套加热的缺陷，不会造成温度差异，有利于硅溶胶种粒子的均匀生成和颗粒粒径的均匀增长。本发明采用通蒸汽搅拌，不会造成漩涡，整个液面在同一个平面上，不会引起硅粉的聚集，从而不会形成浓度差异，保证了硅溶胶粒径的均匀增长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101463230A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910077036.9
申请日：2009-01-16
Abstract: 本发明公开了属于计算机存储器硬盘制造技术领域的一种用于硬盘盘基片的抛光组合物。一种用于硬盘盘基片的抛光组合物，包含磨料和水，还包含抛光促进剂和润滑剂，按重量百分含量为，磨料：0.5～20％、抛光促进剂：0.01～10％、润滑剂：0.00001～5％，其余为水。抛光组合物中还含有pH值调节剂。抛光组合物pH值为0.5～5。本发明提供的抛光组合物主要适用于硬盘盘基片制造中的抛光工艺，具有抛光去除速率高的特点，经其抛光后的盘基片表面划痕少、无凹坑及突起等缺陷，且表面光滑，平均表面粗糙度可达到3埃以下。
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公开(公告)号：CN101451046B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810247567.3
申请日：2008-12-30
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种硅晶片抛光组合物。抛光组合物含有二氧化硅、抛光界面控制剂、表面活性剂、螯合剂、碱性化合物和水。其中抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1～200nm，二氧化硅含量为0.05～50wt％；抛光界面控制剂为多羟基纤维素醚，含量为0.001％～10wt％；表面活性剂含量为0.001～1wt％；螯合剂含量为0.001～1wt％；碱性化合物含量为0.001～10wt％；其余为水，pH值为8.5～12。抛光界面控制剂可对化学机械抛光过程中的磨粒与抛光对象之间的抛光界面进行控制，使抛光后的硅晶片表面更完美。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片的抛光，其优势在于抛光速率快，表面缺陷少，平整度高，抛光后的硅片金属离子污染物少且易于清洗。
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公开(公告)号：CN101463230B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910077036.9
申请日：2009-01-16
Abstract: 本发明公开了属于计算机存储器硬盘制造技术领域的一种用于硬盘盘基片的抛光组合物。一种用于硬盘盘基片的抛光组合物，包含磨料和水，还包含抛光促进剂和润滑剂，按重量百分含量为，磨料：0.5～20％、抛光促进剂：0.01～10％、润滑剂：0.00001～5％，其余为水。抛光组合物中还含有pH值调节剂。抛光组合物pH值为0.5～5。本发明提供的抛光组合物主要适用于硬盘盘基片制造中的抛光工艺，具有抛光去除速率高的特点，经其抛光后的盘基片表面划痕少、无凹坑及突起等缺陷，且表面光滑，平均表面粗糙度可达到3埃以下。
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公开(公告)号：CN102173426A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110002320.7
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明公开了属于电子制造及SiO2胶体制备技术领域的一种均匀度高的二氧化硅溶胶的制备方法。在超声波作用下，制备硅溶胶种粒液，并在超声波作用下，向硅溶胶种粒液中分批次加入反应物料，其中，每一批次加入的反应物料为碱性催化剂的水溶液和金属硅粉，每一批次加入的碱性催化剂的水溶液中碱性催化剂的量为溶液中已加入的碱性催化剂重量的2～40％，每一批次加入的金属硅粉的量为溶液中已加入的金属硅粉重量的2～40％；反应完成后，除去未反应的金属硅粉，制得二氧化硅溶胶；所使用的超声波频率范围在20kHz～50MHz。本发明的方法可降低生产成本，同时提高产品的纯度；制备过程安全可靠、所需仪器简单、操作方便、经济高效。
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公开(公告)号：CN102093820A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110002321.1
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
Abstract: 本发明公开了属于在半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高稳定性的硅晶片化学机械抛光组合物。该抛光组合物各组分及其含量为：二氧化硅磨粒：0.5～50wt％；含硅稳定剂：0.01～10wt％；有机碱腐蚀剂：0.01～20wt％；有机酸螯合剂：0.01～10wt％；其它功能助剂：0.01～5.0wt％；去离子水：余量；该种抛光液稳定时间2年以上；进行重复抛光或循环抛光，pH值和去除速率亦能保持稳定，循环抛光次数可达10次。同时对硅片去除率大，可达到1.0μm/min以上，多次循环抛光去除率稳定。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，适合于半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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