-
公开(公告)号：CN119713461A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411891126.2
申请日：2024-12-20
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司 , 深圳深爱半导体股份有限公司
IPC: F24F7/007 , F24H3/04 , F24H9/1863 , F24H9/20 , F24H15/128 , F24H15/37
Abstract: 本发明公开了一种洁净新风加热器，包括陶瓷基板以及用于对所述陶瓷基板进行加热的加热组件；所述陶瓷基板包括设有基板主体、垂直于所述基板主体平面设置的若干导热通风管以及设于所述导热通风管远离所述基板主体一侧的陶瓷盖板；所述加热组件包括内设于所述陶瓷基板的加热电阻，所述加热电阻容置于所述基板主体、导热通风管以及陶瓷盖板形成的空间区域内。本发明所述洁净新风加热器，保证了所述加热效率、提升了所述洁净新风加热器的使用安全性、避免了漏电风险，提升安全性能。本发明所述洁净新风加热器适用于半导体、光伏、太阳能、医疗设备、光学、检测仪器等有洁净需求场景，适用范围广。
-
公开(公告)号：CN118431081B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410427912.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种Y型栅的制造方法及电子器件。该Y型栅的制造方法包括：提供HEMT衬底，并在所述HEMT衬底上沉积介质层；在所述介质层上涂覆一层第一光刻胶,并采用曝光和显影工艺进行处理，得到弧型槽，其中，所述弧型槽的槽底位于所述介质层的顶面；从所述弧型槽的槽底沿竖直方向刻蚀所述介质层，形成I型槽，所述弧型槽与所述I型槽连通并形成Y型槽；对所述第一光刻胶进行烘烤处理，以调整所述弧型槽的角度；去除所述第一光刻胶；在所述Y型槽内制备所述Y型栅；该制造方法只需要旋涂一次光刻胶，一次光刻和刻蚀即可形成Y型槽，能够简化Y型栅的制造工艺步骤，从而提高生产效率以及降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN117142426B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311138953.X
申请日：2023-09-04
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单片集成电路及其制造方法。单片集成电路的制造方法包括，提供衬底；在所述衬底上形成谐振器；在所述衬底上形成电容；和/或在所述衬底上形成电感；在所述衬底上制造金属互连线，以将所述电容和/或所述电感与所述谐振器连接。本申请将谐振器与LC电路集成制作在同一芯片上，形成MEMS单片集成电路，形成多功能的集成器件，提升性能和集成度。
-
公开(公告)号：CN119133063A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411144612.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请涉及一种衬底载具及其制备方法，衬底载具包括：载具本体；承载台体，至少有一个，且分别形成于载具本体，各承载台体分别沿第一方向延伸，承载台体用于容置待制备衬底，并且，待制备衬底在第一方向上的第一投影面积与载具本体在第一方向上的第二投影面积不相等；及定位体，定位体与承载台体一一对应设置，各定位体包括多个定位部，多个定位部分别形成于载具本体并沿第一方向延伸，并且，多个定位部沿对应的承载台体的边缘均匀间隔设置，以将待制备衬底限制在承载台体上。本申请提高了加工设备的兼容性和通用性，而且，更加便于取放待制备衬底，也给加工设备留出了更多的操作空间，使用更方便。
-
公开(公告)号：CN118969589A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411020944.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置及方法，该装置包括：载台，包括圆周面和上表面，所述载台上表面设有细微小孔，所述载台内部为中空的；冷却循环系统，设置在载台内部，用于向载台输送冷却液；气体热传导管，设置在载台内部，用于载台与载片盘间的温度传导；抽气管，设置在所述载台的正下方，连接在ICP腔体上，所述抽气管的抽气口位于ICP腔体壁上，所述抽气口所在的平面为抽气口面；顶针，穿过所述载台且外露于所述载台上表面，用于托起载片盘；顶针气缸，位于所述载台的下方与所述抽气口面的上方，用于驱动顶针做升降运动。本发明通过将抽气口设置在载台正下方，从而缩短出气口与抽气口的距离，提高了刻蚀效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118912239A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411084302.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PECVD真空泵管道防倒灌的装置及方法，属于半导体技术领域，包括沿真空泵至PECVD设备的腔体的方向依次连接的一级限位导流阀、一级过滤导流阀、二级过滤导流阀以及二级限位导流阀；一级限位导流阀包括第一阀体、第一中心柱、与第一中心柱转动连接的两个第一扇门，以及第一档条；一级过滤导流阀包括第二阀体、第二中心柱、与第二中心柱转动连接的两个第二扇门，以及第二档条；二级过滤导流阀包括第三阀体、第三中心柱、与第三中心柱转动连接的两个第三扇门，以及第三档条；二级限位导流阀包括第四阀体、第四中心柱、两个第四扇门以及第四档条。本发明达到能够防止气体倒灌至腔体，避免引起腔体的污染以及晶圆报废的技术效果。
-
公开(公告)号：CN118866658A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410874549.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构制作方法和半导体结构，其中所述半导体结构制作方法包括：一、提供基板层；二、在所述基板层上涂覆光刻胶层；三、去除部分所述光刻胶层，以形成胶柱，所述胶柱侧面具有凹陷结构；四、在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层，包括位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元；第一功能单元和所述第二功能单元在光刻胶层的侧面分离；五、去除所述胶柱和所述第二功能单元。由于所述胶柱侧边具备凹陷结构，所以当在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层时，位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元因为被凹陷结构阻挡，因此不容易发生粘连。
-
公开(公告)号：CN118547267A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410611583.5
申请日：2024-05-16
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及一种化学气相沉积装置。本申请包括喷淋腔室、调节组件和驱动装置。喷淋腔室包括开设有若干喷淋口的底板。调节组件与喷淋口对应设置。驱动装置与调节组件磁吸配合，带动调节组件在第一状态和第二状态之间切换。当调节组件处于第一状态时，调节组件与底板分离，喷淋腔室内物质依次通过调节组件和喷淋口。当调节组件处于第二状态时，调节组件与底板相抵接，调节组件遮挡底板上的部分喷淋口，以控制喷淋口处物质的流通。本申请通过驱动装置与调节组件相配合，以改变有效的喷淋口的排布，从而调控物质后续的分布情况，进而提高改善沉积薄膜的均匀性，同时，驱动装置和调节组件的配合方式，还能够降低对喷淋腔室的污染程度和泄露风险。
-
公开(公告)号：CN118538599A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410632651.6
申请日：2024-05-21
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法。所述GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法包括：提供GaN HEMT衬底，在所述GaN HEMT衬底上依次生长第一介质层、第二介质层和第三介质层；在所述第三介质层上预留刻蚀区域，并在所述刻蚀区域之外的第三介质层上生长光刻胶层；依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层形成栅槽；蒸发栅金属以将所述栅金属沉积到所述栅槽，得到自对准的栅结构。本申请的GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法，制备过程只需要进行一次光刻工艺，因此制备过程不会存在套刻误差，即套刻误差为零，解决了套刻误差影响GaN器件性能的问题。
-
公开(公告)号：CN118431081A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410427912.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种Y型栅的制造方法及电子器件。该Y型栅的制造方法包括：提供HEMT衬底，并在所述HEMT衬底上沉积介质层；在所述介质层上涂覆一层第一光刻胶,并采用曝光和显影工艺进行处理，得到弧型槽，其中，所述弧型槽的槽底位于所述介质层的顶面；从所述弧型槽的槽底沿竖直方向刻蚀所述介质层，形成I型槽，所述弧型槽与所述I型槽连通并形成Y型槽；对所述第一光刻胶进行烘烤处理，以调整所述弧型槽的角度；去除所述第一光刻胶；在所述Y型槽内制备所述Y型栅；该制造方法只需要旋涂一次光刻胶，一次光刻和刻蚀即可形成Y型槽，能够简化Y型栅的制造工艺步骤，从而提高生产效率以及降低生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
185
records
(took 0.138 seconds)
