玉米全苗壮株栽培方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105917930A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610303431.4

    申请日:2016-05-10

    Inventor: 赵海霞 吉明发

    CPC classification number: A01C1/06 A01C21/00 A01G22/00

    Abstract: 本发明属于农业栽培技术领域,公开了玉米全苗壮株栽培方法,该栽培方法的步骤包括选种包衣、开沟作畦、秸秆还田、分层施肥、精量播种、化除覆膜、适期定苗、田间管理。本发明在板茬免耕畦田的玉米播种行中间挖沟,切碎的秸秆铺满施肥沟底层,秸秆既能阻止上层肥料下漏,腐熟后又成肥料被玉米根须吸收利用,用壤土隔开实施分层施肥,实现一次施肥玉米全生育期利用;在播种区分行挖穴各播两粒健康、饱满、有活力的玉米种子适期定苗;化除后在施肥区覆盖地膜,地膜下的温度高于玉米播种区地下温度,使地膜下的肥水向玉米播种区土壤慢慢渗透,实现玉米全苗和壮苗壮株,为提高玉米产量夯实基础。

    玉米全苗壮株栽培方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105917930B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201610303431.4

    申请日:2016-05-10

    Inventor: 赵海霞 吉明发

    Abstract: 本发明属于农业栽培技术领域,公开了玉米全苗壮株栽培方法,该栽培方法的步骤包括选种包衣、开沟作畦、秸秆还田、分层施肥、精量播种、化除覆膜、适期定苗、田间管理。本发明在板茬免耕畦田的玉米播种行中间挖沟,切碎的秸秆铺满施肥沟底层,秸秆既能阻止上层肥料下漏,腐熟后又成肥料被玉米根须吸收利用,用壤土隔开实施分层施肥,实现一次施肥玉米全生育期利用;在播种区分行挖穴各播两粒健康、饱满、有活力的玉米种子适期定苗;化除后在施肥区覆盖地膜,地膜下的温度高于玉米播种区地下温度,使地膜下的肥水向玉米播种区土壤慢慢渗透,实现玉米全苗和壮苗壮株,为提高玉米产量夯实基础。

    花生全苗壮苗栽培方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105766345B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201610208424.6

    申请日:2016-04-06

    Inventor: 赵海霞 吉明发

    Abstract: 本发明属于农业栽培技术领域,公开了花生全苗壮苗栽培方法,该栽培方法的实施步骤包括选种拌种、定量施肥、精耕细整、起垄开槽、播种覆膜、及时放苗、综合防控。本发明在垄上沟槽两边以正三角形挖穴各播一粒健康、饱满的花生种子,实现适当增密和增加株距,并通过单垄做成双子垄地膜覆盖,在垄中间沟槽中定量施用氮肥,花生种子萌发出苗初期充分利用膜下蒸发的水分保墒,增强沟槽中氮肥利用率,加大光照和积温,促进生根发棵,解决现有技术中花生出苗不能全苗、苗期不壮和一穴双株而株距太近争肥争光争空间的问题,实现花生全苗壮苗,提高产量。

    花生全苗壮苗栽培方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105766345A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610208424.6

    申请日:2016-04-06

    Inventor: 赵海霞 吉明发

    CPC classification number: A01G13/00 A01G22/00

    Abstract: 本发明属于农业栽培技术领域,公开了花生全苗壮苗栽培方法,该栽培方法的实施步骤包括选种拌种、定量施肥、精耕细整、起垄开槽、播种覆膜、及时放苗、综合防控。本发明在垄上沟槽两边以正三角形挖穴各播一粒健康、饱满的花生种子,实现适当增密和增加株距,并通过单垄做成双子垄地膜覆盖,在垄中间沟槽中定量施用氮肥,花生种子萌发出苗初期充分利用膜下蒸发的水分保墒,增强沟槽中氮肥利用率,加大光照和积温,促进生根发棵,解决现有技术中花生出苗不能全苗、苗期不壮和一穴双株而株距太近争肥争光争空间的问题,实现花生全苗壮苗,提高产量。

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