一种PVA/TBABr3诱导的大层间距MoS2电极材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116230421A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310043274.8

    申请日:2023-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种PVA/TBABr3诱导的大层间距MoS2电极材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将诱导剂、钼酸盐、硫脲溶解在去离子水中得到反应液;(2)将反应液转移至反应容器中进行水热反应,反应结束后自然冷却至室温;(3)取出反应容器内的固体沉淀物,依次经过洗涤、干燥后得到固体粉末,即MoS2电极材料。本发明采用简单的一步水热法制备得到了具有优异电化学性能的电极材料,该电极材料作为超级电容器电极材料应用时,具有高比电容值、较高循环稳定性等性能。本发明使用的原料易得,反应温度低,环境无污染,产物容易分离,所得产物纯度高,形貌好且均一,制备工序简单,适用工业化推广应用。

    一种通过有机离子原位包裹技术制备超疏水二硫化钼的方法、产品及应用

    公开(公告)号:CN119911969A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510097144.1

    申请日:2025-01-22

    Abstract: 本发明提供了一种通过有机离子原位包裹技术制备超疏水二硫化钼的方法、产品及应用,属于疏水材料技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤:将钼酸盐、硫源与阳离子表面改性剂分散于水中,得到混合溶液;将所述混合溶液进行水热反应后,冷却至室温,得到具有超疏水性的有机离子原位包裹二硫化钼(MoS2)。本发明的亮点在于:原料来源广泛、生产过程对环境友好、所需反应温度温和、产物易于分离提纯且展现出高纯度与良好的形态一致性。此外,整个制备流程简洁高效,适用于工业化的推广与应用。通过本发明方法制备的有机离子原位包裹超疏水二硫化钼,成功克服了MoS2本身的亲水性质,赋予了其显著的超疏水特性。

    一种破壳状MoS2纳米球材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116216780B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202310184777.7

    申请日:2023-03-01

    Abstract: 本发明属于电化学储能材料技术领域,公开一种破壳状MoS2纳米球材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:步骤1,将长链季铵盐、钼酸盐与硫脲均匀分散于水溶剂中,获得混合溶液;其中,所述长链季铵盐为十六烷基三甲基溴化铵和十二烷基三甲基溴化铵中的一种或两种;步骤2,将所述混合溶液于190~240℃下进行水热反应后,冷却至室温,即获得所述破壳状MoS2纳米球材料。本发明使用的原料易得,反应温度低,环境无污染,产物容易分离,所得产物纯度高,形貌好且均一,制备工序简单,适用工业化推广应用。

    一种破壳状MoS2纳米球材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116216780A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310184777.7

    申请日:2023-03-01

    Abstract: 本发明属于电化学储能材料技术领域,公开一种破壳状MoS2纳米球材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:步骤1,将长链季铵盐、钼酸盐与硫脲均匀分散于水溶剂中,获得混合溶液;其中,所述长链季铵盐为十六烷基三甲基溴化铵和十二烷基三甲基溴化铵中的一种或两种;步骤2,将所述混合溶液于190~240℃下进行水热反应后,冷却至室温,即获得所述破壳状MoS2纳米球材料。本发明使用的原料易得,反应温度低,环境无污染,产物容易分离,所得产物纯度高,形貌好且均一,制备工序简单,适用工业化推广应用。

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