公开(公告)号：CN119118198A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202311804120.2

申请日：2023-12-26

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李汗 ,  徐婧 ,  贾庆玲 ,  赵玉洁 ,  袁续龙 ,  魏梓博 ,  施建国 ,  陆顺 ,  李兵 ,  张永兴

IPC: C01G39/06 ,  B82Y40/00 ,  H01G11/22 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明属于纳米材料领域，尤其是一种少层金属相二硫化钼的制备方法及其应用，其中一种少层金属相二硫化钼的制备方法，包括以下步骤：S1：称量一定量的硫代乙酰胺、二水合钼酸钠以及插层剂硼氢化钠，加入去离子水与酒精不同比例的混合溶液中，转入聚四氟乙烯内衬中，随后置于磁力搅拌机上搅拌预设时间，取出磁子后，将聚四氟乙烯内衬移入高压反应釜的钢套中，密封完全；S2：将高压反应釜置于烘箱调制预设时间，持续反应若干小时得到前驱体溶液。本发明方法合成的少层1T‑MoS2产率高，样品结构稳定，并且该方法反应条件温和，适用性广泛，反应原料廉价易得，为商业化奠定基础。