公开(公告)号：CN114471620B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210221250.2

申请日：2022-03-09

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李强 ,  卢笑笑 ,  王李结 ,  张佑铭 ,  张鑫 ,  宋巨谱

IPC: B01J27/047 ,  B01J35/10 ,  B01J37/10 ,  C01B3/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种a‑SnWO4/In2S3复合光催化剂，将a‑SnWO4纳米片均匀沉积在In2S3表面，进而提高二者的接触面积，增强光生电子的分离和迁移。与纯a‑SnWO4或In2S3相比，a‑SnWO4/In2S3复合光催化剂具有较大的比表面积，丰富的活性位点和较短的电荷迁移距离，表现出较高的光催化性能，并公开了该复合光催化材料的制备过程。本发明将a‑SnWO4纳米片负载在In2S3表面，有利于光生载流子的分离和迁移，能在可见光条件下持续降解有机污染物罗丹明B试剂；易于合成，制备原料普通常见，成本低，高产，适合实际生产；在光解水产氢、光降解有机污染物和二氧化碳还原等领域具有广泛的应用前景和工业化前景。

公开(公告)号：CN114471620A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210221250.2

申请日：2022-03-09

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 李强 ,  卢笑笑 ,  王李结 ,  张佑铭 ,  张鑫 ,  宋巨谱

IPC: B01J27/047 ,  B01J35/10 ,  B01J37/10 ,  C01B3/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种a‑SnWO4/In2S3复合光催化剂，将a‑SnWO4纳米片均匀沉积在In2S3表面，进而提高二者的接触面积，增强光生电子的分离和迁移。与纯a‑SnWO4或In2S3相比，a‑SnWO4/In2S3复合光催化剂具有较大的比表面积，丰富的活性位点和较短的电荷迁移距离，表现出较高的光催化性能，并公开了该复合光催化材料的制备过程。本发明将a‑SnWO4纳米片负载在In2S3表面，有利于光生载流子的分离和迁移，能在可见光条件下持续降解有机污染物罗丹明B试剂；易于合成，制备原料普通常见，成本低，高产，适合实际生产；在光解水产氢、光降解有机污染物和二氧化碳还原等领域具有广泛的应用前景和工业化前景。