公开(公告)号：CN115369487A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210820069.3

申请日：2022-07-12

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 丁光柱 ,  吴坤 ,  张旗 ,  刘结平

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明公开了一种超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，包括以下步骤：(1)溶液配制：将P3HT溶解于氯苯溶剂中，配制P3HT的氯苯溶液，待P3HT完全溶解后进行过滤处理；(2)一次等温结晶：将过滤后的P3HT的氯苯溶液先进行保温，再进行降温，然后进行等温结晶处理，得到一次结晶液；(3)二次等温结晶：将一次结晶液先进行降温，然后进行等温结晶处理，得到二次结晶液；(4)薄膜制备：利用溶液旋涂法将二次结晶液在硅片衬底上制备出P3HT薄膜；(5)薄膜干燥：对P3HT薄膜进行真空干燥。本发明制备方法属于简易的P3HT液相分步等温结晶方法，条件温和、操作简便、无特殊设备要求，所得超长棒状聚3‑己基噻吩晶体可用于有机光电器件的应用。

公开(公告)号：CN115369487B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210820069.3

申请日：2022-07-12

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 丁光柱 ,  吴坤 ,  张旗 ,  刘结平

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明公开了一种超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，包括以下步骤：(1)溶液配制：将P3HT溶解于氯苯溶剂中，配制P3HT的氯苯溶液，待P3HT完全溶解后进行过滤处理；(2)一次等温结晶：将过滤后的P3HT的氯苯溶液先进行保温，再进行降温，然后进行等温结晶处理，得到一次结晶液；(3)二次等温结晶：将一次结晶液先进行降温，然后进行等温结晶处理，得到二次结晶液；(4)薄膜制备：利用溶液旋涂法将二次结晶液在硅片衬底上制备出P3HT薄膜；(5)薄膜干燥：对P3HT薄膜进行真空干燥。本发明制备方法属于简易的P3HT液相分步等温结晶方法，条件温和、操作简便、无特殊设备要求，所得超长棒状聚3‑己基噻吩晶体可用于有机光电器件的应用。