Ni3N/Mo2N超晶格材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117865078A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410043812.8

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种Ni3N/Mo2N超晶格材料及其制备方法和应用。制备方法包括:将镍泡沫进行预处理;将镍盐或钴盐、碱源、预处理后的泡沫镍和去离子水混合,水热反应数小时;用水和乙醇分别在超声下清洗生长在泡沫镍上的产物,干燥,得到含CO32‑插层离子的α‑Ni(OH)2;置于高温煅烧退火;利用过渡金属层状氢氧化物的“记忆效应”,再加入MoO42‑的水溶液中,搅拌;过滤、干燥,得到含插层MoO42‑的层状氢氧化镍;在惰性气体氛围下进行氮化处理,得到Ni3N/Mo2N超晶格材料。优点在于:制备工艺简单、周期短、工艺过程易控制,催化材料暴露更多活性位点,有效提升电催化性能。

    一种钼掺杂硒化铜纳米片的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117966199A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410109251.7

    申请日:2024-01-25

    Abstract: 本发明涉及材料化学技术领域,尤其涉及一种钼掺杂硒化铜纳米片材料的制备方法及其应用。制备方法包括:将镍泡沫裁成小块,用稀盐酸溶液超声清洗;再用无水乙醇、去离子水分别超声;称取CuCl2·2H2O、Se粉和Na2MoO4·2H2O,加入至去离子水和水合肼的混合溶剂中,磁力搅拌;加入镍泡沫在170~200℃下水热反应8~15h;冷却至室温后将镍泡沫取出,分别用去离子水和无水乙醇超声清洗;在50~70℃下真空干燥4~6h,抽滤,用水合肼洗去多余硒粉,获得钼掺杂硒化铜纳米片材料。优点在于:镍泡沫基底原位生长Mo掺杂CuSe纳米片催化剂,暴露更多活性位点;纳米片边缘非晶化,提升中性电解水性能和稳定性。

Patent Agency Ranking