大面积Ti网上制备TiO2纳米管阵列的方法

    公开(公告)号:CN103628111A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310558229.2

    申请日:2013-11-12

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明公开了一种在大面积Ti网上制备均匀有序的TiO2纳米管阵列的方法,属纳米材料制备技术领域。直接使用金属槽作为对电极构建二电极阳极氧化体系,经表面清洁处理的大面积Ti网为阳极,在含F电解液中进行一定时间的阳极氧化,Ti网表面生成均匀有序的TiO2纳米管阵列。本发明能够制备较大尺寸的TiO2纳米管阵列/Ti网复合纳米材料,所得材料具有比表面积大、表面活性高等系列优点,同时具有可滤过性,在光催化、太阳能电池、传感器等领域均有突出的性能及应用优势。并且工艺简单,可大批量制备,适用于工业化生产和应用。

    接触角及表面能测量装置

    公开(公告)号:CN102135490A

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN201010600278.4

    申请日:2010-12-13

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明涉及一种接触角及表面能测量装置,它是由普通网络摄像头采集图像信息,通过USB口将图像信息传入计算机,通过自发研制的计算机软件进行分析并能自动保存实验数据。通过并口对与载样台相连的三个步进电机进行控制,步进电机通过USB供电,有效降低了设备成本。本发明的有益效果是,可通过计算机方便快捷的测量固体样品表面的接触角及表面能值,由于采用普通网络摄像头为图像采集元件,成本低。

    大面积Ti网上制备TiO2纳米管阵列的方法

    公开(公告)号:CN103628111B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201310558229.2

    申请日:2013-11-12

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明公开了一种在大面积Ti网上制备均匀有序的TiO2纳米管阵列的方法,属纳米材料制备技术领域。直接使用金属槽作为对电极构建二电极阳极氧化体系,经表面清洁处理的大面积Ti网为阳极,在含F电解液中进行一定时间的阳极氧化,Ti网表面生成均匀有序的TiO2纳米管阵列。本发明能够制备较大尺寸的TiO2纳米管阵列/Ti网复合纳米材料,所得材料具有比表面积大、表面活性高等系列优点,同时具有可滤过性,在光催化、太阳能电池、传感器等领域均有突出的性能及应用优势。并且工艺简单,可大批量制备,适用于工业化生产和应用。

    压印设备及其加压方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103869608A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410089150.4

    申请日:2014-03-12

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明属于微纳米级结构材料和器件的加工技术领域,尤其涉及一种压印设备及其加压方法。本发明解决现有的压印设备在热压印大面积的被压印物时存在被压印物成型质量差的问题。本发明的压板由加压装置驱动,支撑板被弹性元件顶抵且限制在导柱的长度范围内移动,压板上固定有由压模与被压印物贴合形成的压印组件,只要使用加压装置,再配合弹性元件,即可让支撑板与压板实现靠近或分离,而压模与被压印物相抵实现压印。该压印设备结构简单、操作方便而且成型质量好,能够实现特征尺寸20nm到2000nm的图形转移,适于大量制备各种纳米电子器件、光学器件、存储器、纳米流体通道、生物芯片等。

    一种纳米管/粉共混态金属氧化物

    公开(公告)号:CN102718491A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210052477.5

    申请日:2012-03-02

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米管/粉共混态金属氧化物,属纳米材料科学领域。经过表面抛光清洁处理的Ti、Zn、Al、Zr、Ni、Co或其合金薄片,先在电解液中阳极氧化获得规整的纳米管阵列膜;膜层经剥落并清洗干燥后,经机械球磨得到纳米管/粉共混态;材料在球磨前或球磨后通过高温退火,或者直接高能球磨获得符合实际应用的最优晶型。此种纳米材料具有比表面积大、表面活性高、综合多形态优势等系列优点;且制备工艺简单,组分比例可控;便于掺杂、负载、敏化改性;可直接分散使用,也可附着于不同基底使用,灵活方便;在光催化、太阳能电池、半导体器件、传感器材料、电池材料及涂料、高分子添加剂等领域均有突出的性能及应用优势。

    接触角及其表面能测量装置

    公开(公告)号:CN102135490B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201010600278.4

    申请日:2010-12-13

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明涉及一种接触角及表面能测量装置,它是由普通网络摄像头采集图像信息,通过USB口将图像信息传入计算机,通过自发研制的计算机软件进行分析并能自动保存实验数据。通过并口对与载样台相连的三个步进电机进行控制,步进电机通过USB供电,有效降低了设备成本。本发明的有益效果是,可通过计算机方便快捷的测量固体样品表面的接触角及表面能值,由于采用普通网络摄像头为图像采集元件,成本低。

    一种纳米管/粉共混态金属氧化物

    公开(公告)号:CN102718491B

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201210052477.5

    申请日:2012-03-02

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米管/粉共混态金属氧化物,属纳米材料科学领域。经过表面抛光清洁处理的Ti、Zn、Al、Zr、Ni、Co或其合金薄片,先在电解液中阳极氧化获得规整的纳米管阵列膜;膜层经剥落并清洗干燥后,经机械球磨得到纳米管/粉共混态;材料在球磨前或球磨后通过高温退火,或者直接高能球磨获得符合实际应用的最优晶型。此种纳米材料具有比表面积大、表面活性高、综合多形态优势等系列优点;且制备工艺简单,组分比例可控;便于掺杂、负载、敏化改性;可直接分散使用,也可附着于不同基底使用,灵活方便;在光催化、太阳能电池、半导体器件、传感器材料、电池材料及涂料、高分子添加剂等领域均有突出的性能及应用优势。

    压印设备
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203773223U

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201420110325.0

    申请日:2014-03-12

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本实用新型属于微纳米级结构材料和器件的加工技术领域,尤其涉及一种压印设备。本实用新型解决现有的压印设备在热压印大面积的被压印物时存在被压印物成型质量差的问题。本实用新型的压板由加压装置驱动,支撑板被弹性元件顶抵且限制在导柱的长度范围内移动,压板上固定有由压模与被压印物贴合形成的压印组件,只要使用加压装置,再配合弹性元件,即可让支撑板与压板实现靠近或分离,而压模与被压印物相抵实现压印。该压印设备结构简单、操作方便而且成型质量好,能够实现特征尺寸20nm到2000nm的图形转移,适于大量制备各种纳米电子器件、光学器件、存储器、纳米流体通道、生物芯片等。

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