公开(公告)号：CN115874143B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202211630755.0

申请日：2022-12-19

Applicant: 海南大学

Inventor： 马艳平 ,  段佳岐 ,  姜宏

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种SiBCN/DLC梯度薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)对基底、SiBCN靶材和C靶材分别进行表面预处理；B)将SiBCN靶材和C靶材放置于磁控溅射腔室内，SiBCN靶材和C靶材同时溅射，在相同的溅射时间内和相同的溅射功率范围内，SiBCN靶材溅射功率递减，C靶材溅射功率递增，得到SiBCN/DLC梯度薄膜。本申请还提供了上述方法制备的SiBCN/DLC梯度薄膜。本申请制备的SiBCN/DLC梯度薄膜致密度高、光学透过性好，具有良好的机械性能和较低的摩擦系数，可作为光学器件以及电子显示屏幕等的保护层。

公开(公告)号：CN115874143A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211630755.0

申请日：2022-12-19

Applicant: 海南大学

Inventor： 马艳平 ,  段佳岐 ,  姜宏

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种SiBCN/DLC梯度薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)对基底、SiBCN靶材和C靶材分别进行表面预处理；B)将SiBCN靶材和C靶材放置于磁控溅射腔室内，SiBCN靶材和C靶材同时溅射，在相同的溅射时间内和相同的溅射功率范围内，SiBCN靶材溅射功率递减，C靶材溅射功率递增，得到SiBCN/DLC梯度薄膜。本申请还提供了上述方法制备的SiBCN/DLC梯度薄膜。本申请制备的SiBCN/DLC梯度薄膜致密度高、光学透过性好，具有良好的机械性能和较低的摩擦系数，可作为光学器件以及电子显示屏幕等的保护层。