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公开(公告)号：CN118465004A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410661381.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 海南大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供了空穴氧二氧化锡敏感材料的氢气传感器的制备方法，包括：将二水氯化亚锡和硫代乙酰胺溶解到溶剂中，得到混合溶液；将平面电极沉浸在所述混合溶液中，化学浴沉积，得到化学浴沉积处理过的生长有敏感材料的平面器件；将所述平面器件清洗、干燥，煅烧，即得生长了二氧化锡纳米花的平面器件；将二乙基二硫代氨基甲酸钠（三水）置于石英舟中，放入管式炉上游加热区；将五水合四氯化锡置于石英舟中，放入管式炉下游加热区；将生长了二氧化锡纳米花的平面器件放在下游加热区；管式炉中通入载气，进行化学气相沉积，得到二氧化锡半导体敏感材料；而后煅烧，即得。本发明传感器对低浓度的氢气具备有效的响应，且对氢气拥有良好的选择性。
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