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公开(公告)号：CN116794125A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310496294.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于ZnO压电效应的光电化学传感器以及制备方法，包括如下步骤：制备ZnO晶种：将二水乙酸锌‑乙醇混合溶液滴加到干净的不锈钢丝网上，退火。制备ZnO纳米棒阵列：将不锈钢丝网放入硝酸锌‑六次甲基四胺混合溶液中，然后70～95℃加热7～9h后，清洗、干燥得到ZnO纳米棒阵列。制备ZnO/MoS2异质结纳米阵列：将钼酸钠‑硫脲混合溶液和浸泡、干燥后的ZnO纳米棒阵列一起加热反应后自然冷却至室温；最后，清洗、干燥，得到ZnO/MoS2异质结纳米阵列。本发明还揭示了所述光电化学传感器的检测方法。本发明解决了光电化学传感器在检测过程中光谱响应范围较低、光电转换和信号产生的效率较低的问题。
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