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公开(公告)号：CN111634942B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010449585.0
申请日：2020-05-25
Applicant: 海南大学
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种具有细长分支的二氧化钛纳米线阵列的制备方法。首先，制备钛酸钠纳米线阵列，经酸交换和热处理得到TiO2纳米线阵列；然后，利用TiF4溶液在TiO2纳米线阵列表面通过化学浴沉积一层TiO2颗粒；最后，进行水热反应得到TiO2/钛酸钠分支纳米线阵列，接着进行酸交换和热处理，将钛酸钠分支转变为TiO2分支，最终得到TiO2分支纳米线阵列。与现有的制备TiO2分支纳米线阵列的技术相比，本发明公开的方法利用“利用TiO2表面缺陷数量、结晶度和表面积的差异导致的反应活性和速度的差异”这一新合成思路，得到的材料可同时结合“单晶TiO2纳米线主干”和“超细分支”的结构特征，且分支的长度较大，有利于提高作为光催化剂的性能。
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公开(公告)号：CN111634942A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010449585.0
申请日：2020-05-25
Applicant: 海南大学
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种具有细长分支的二氧化钛纳米线阵列的制备方法。首先，制备钛酸钠纳米线阵列，经酸交换和热处理得到TiO2纳米线阵列；然后，利用TiF4溶液在TiO2纳米线阵列表面通过化学浴沉积一层TiO2颗粒；最后，进行水热反应得到TiO2/钛酸钠分支纳米线阵列，接着进行酸交换和热处理，将钛酸钠分支转变为TiO2分支，最终得到TiO2分支纳米线阵列。与现有的制备TiO2分支纳米线阵列的技术相比，本发明公开的方法利用“利用TiO2表面缺陷数量、结晶度和表面积的差异导致的反应活性和速度的差异”这一新合成思路，得到的材料可同时结合“单晶TiO2纳米线主干”和“超细分支”的结构特征，且分支的长度较大，有利于提高作为光催化剂的性能。
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公开(公告)号：CN111663183B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010448726.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 海南大学
IPC: C30B29/32 , C30B29/16 , C30B7/10 , C30B29/62 , C30B19/00 , B01J21/06 , B01D53/86 , B01D53/44 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。首先，通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列；然后，在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO2；最后，进行质子交换和热处理，将单晶钛酸钠转变为单晶TiO2，得到最终的含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列。该方法利用介晶TiO2在单晶钛酸钠纳米线表面的外延生长，结合晶格常数差异，在TiO2中引入张应变；随后再将单晶钛酸钠纳米线转变为单晶TiO2纳米线，得到单相的锐钛矿TiO2，且整体具有准单晶结构。与现有的制备TiO2阵列的技术相比，本发明公开的方法制备的TiO2具有三维分级结构、准单晶结构、单轴张应变的独特特征，可作为高性能的光催化剂，用于气相污染物处理等领域。
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公开(公告)号：CN111663183A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010448726.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 海南大学
IPC: C30B29/32 , C30B29/16 , C30B7/10 , C30B29/62 , C30B19/00 , B01J21/06 , B01D53/86 , B01D53/44 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。首先，通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列；然后，在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO2；最后，进行质子交换和热处理，将单晶钛酸钠转变为单晶TiO2，得到最终的含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列。该方法利用介晶TiO2在单晶钛酸钠纳米线表面的外延生长，结合晶格常数差异，在TiO2中引入张应变；随后再将单晶钛酸钠纳米线转变为单晶TiO2纳米线，得到单相的锐钛矿TiO2，且整体具有准单晶结构。与现有的制备TiO2阵列的技术相比，本发明公开的方法制备的TiO2具有三维分级结构、准单晶结构、单轴张应变的独特特征，可作为高性能的光催化剂，用于气相污染物处理等领域。
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