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公开(公告)号：CN119335026A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411461683.0
申请日：2024-10-18
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明提供一种卤氧化铋‑硫氧化铋原位异质结FT0光电极及其制备方法和应用，本发明属于光电化学技术领域。以五水硝酸铋为原料，通过卤化物和硝酸铋之间的反应，结合添加剂在FTO上形成卤氧化铋晶体，以此为前驱体通过原位转换在FTO上合成卤氧化铋‑硫氧化铋异质结，制备出一种光电性能优良的原位异质结光电极。采用了简单的热溶剂方法，操作简便，并采用低成本的原料，降低了生产成本。同时原位转化可使卤氧化铋和硫氧化铋之间形成紧密接触的异质结界面，有利于提高电极对光的响应，促进了复合材料载流电子的转移，从而大大提高了光电性能。为光电化学应用行业提供了一种在FTO上原位合成异质结光电极的新思路和方法。
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