公开(公告)号：CN118126065B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410109437.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 海南大学

Inventor： 刘宏涛 ,  毕义珂 ,  贾春满 ,  李健维 ,  李金山 ,  冯艳

IPC: C07D519/00 ,  H10K85/60 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了基于硒吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法和应用。该非富勒烯受体材料具有A‑π‑D‑π‑A型共轭分子主体结构，包括硒吩衍生物π桥、供电子性质的芳环核心D和吸电子性质的末端单元A三类分子砌块。本发明通过利用三类分子砌块的多选择性和组合，能够灵活地构筑有机光伏非富勒烯受体分子，硒吩衍生物π桥的引入有利于增大受体分子的共轭程度，拓展材料的光吸收范围至近红外区域，并增强受体的分子间堆积，提高电荷迁移率，有希望开发出新型高效非富勒烯受体材料。

公开(公告)号：CN118126065A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410109437.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 海南大学

Inventor： 刘宏涛 ,  毕义珂 ,  贾春满 ,  李健维 ,  李金山 ,  冯艳

IPC: C07D519/00 ,  H10K85/60 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了基于硒吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法和应用。该非富勒烯受体材料具有A‑π‑D‑π‑A型共轭分子主体结构，包括硒吩衍生物π桥、供电子性质的芳环核心D和吸电子性质的末端单元A三类分子砌块。本发明通过利用三类分子砌块的多选择性和组合，能够灵活地构筑有机光伏非富勒烯受体分子，硒吩衍生物π桥的引入有利于增大受体分子的共轭程度，拓展材料的光吸收范围至近红外区域，并增强受体的分子间堆积，提高电荷迁移率，有希望开发出新型高效非富勒烯受体材料。