一种SERS芯片的制备方法及所得产品和在超痕量汞离子检测中的应用

    公开(公告)号:CN115931813A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211452434.6

    申请日:2022-11-21

    Applicant: 海南大学

    Abstract: 本发明公开了一种SERS芯片的制备方法及所得产品和在超痕量汞离子检测中的应用,本发明以硝酸银和三聚氰胺为原料,通过简单的原位自组装和低温固相热化学反应策略,得到由多孔的Ag@g‑C3N4复合纳米线组成SERS芯片。本发明所得芯片对汞离子具有优异的选择性、超宽的线性检测范围和超低检出限,且制备方法简单易放大,应用方便,检测速度快,具有良好的应用前景。

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