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发明公开
利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法无效

公开(公告)号：CN102623132A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210100658.0

申请日：2012-03-30

Applicant: 海南大学

Inventor： 丁雷 , 于广华 , 向道平 , 魏要丽

IPC: H01F10/08 , H01F10/14 , H01F41/18 , H01L43/12 , H01L43/08 , C23C14/24

Abstract: 一种利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法，涉及磁性薄膜材料领域。本方法是在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积：钽Ta(50～)/氧化铝Al2O3(10～)/铋Bi(2～)/镍铁NiFe(70～)/铋Bi(2～)/氧化铝Al2O3(10～)/钽Ta(50～)，并在磁场下进行低温快速退火。本发明由于采用表面活化剂Bi插入Al2O3与NiFe界面，并进行磁场下低温快速退火，明显降低了NiFe的饱和场，提高了磁场灵敏度，同时降低了生产成本，适用于未来超高灵敏磁电阻传感元件的生产。

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