一种测试电路、测试方法及测试系统

    公开(公告)号:CN116052751A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211659431.X

    申请日:2022-12-22

    Inventor: 黄瑞锋 杨昌楷

    Abstract: 本申请涉及一种测试电路、测试方法及测试系统,属于集成电路领域。该测试电路包括:振荡电路、计数器;振荡电路,用于与存储器中的目标存储单元电路连接,所述振荡电路用于产生与所述目标存储单元电路的读能力相关的振荡信号;计数器,用于对一段时间内所述振荡信号的振荡周期数进行计数,所述振荡周期数用于表征所述目标存储单元电路的读能力。利用振荡电路来与存储器中的目标存储单元电路相配合,以此产生与目标存储单元电路的读能力相关的振荡信号,并对一段时间内(时间可以根据测试需要进行灵活设置)振荡信号的振荡周期数进行计数,从而实现对目标存储单元电路的读能力的侦测。

    多核CPU的时钟管理方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN112416055A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011316532.8

    申请日:2020-11-20

    Inventor: 邝仁德 杨昌楷

    Abstract: 本发明实施例公开多核CPU的时钟管理方法、装置、电子设备及存储介质,涉及时钟管理技术领域,为便于提高为CPU提供的电压稳定性而发明。所述核CPU的时钟管理方法包括:通过锁相环输出第一频率、不同相位的至少两个第一时钟;根据CPU核心的时钟需求,从所述至少两个第一时钟中选择至少两个目标时钟进行预设逻辑运算,得到第二时钟;所述时钟需求包括时钟频率需求和/或时钟相位需求;向所述CPU核心提供所述第二时钟。本发明适用于向CPU核心提供时钟。

    延时电路及其驱动方法、集成电路及电子设备

    公开(公告)号:CN113505553B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202110718540.3

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 一种延时电路及其驱动方法、集成电路及电子设备,该延时电路包括第一延时电路和第一信号线。第一延时电路包括多个第一延时子电路,至少一个第一延时子电路与第一信号线连接。每个第一延时子电路包括控制端、传输元件和功能元件,传输元件和功能元件彼此连接。第一延时子电路配置为响应于第一延时子电路的控制端接收的绕线延时控制信号,控制传输元件的状态以调整功能元件与第一信号线之间的耦合状态。第一延时电路配置为响应于各个第一延时子电路分别接收到的绕线延时控制信号,基于各个第一延时子电路的功能元件与第一信号线之间的耦合状态,对第一信号线上传输的信号增加绕线延时。该延时电路能够灵活控制绕线延时的大小,加快时序收敛速度。

    内容可寻址存储器、阵列及处理器系统

    公开(公告)号:CN112259147B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202011135344.5

    申请日:2020-10-21

    Inventor: 杨昌楷 黄瑞锋

    Abstract: 本申请提供一种内容可寻址存储器、阵列及处理器系统,包括存储单元和比较单元,两者连接;存储单元包括互补的第一存储节点和第二存储节点;四个开关包括:第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关,第一开关与第二开关串联于电源与匹配线之间,第一开关的控制端与SL线连接,第二开关的控制端与第一存储节点连接;第三开关与第四开关串联于电源与匹配线之间,第三开关的控制端与SLB线连接,第四开关的控制端与第二存储节点连接,其中,SL线与SLB线互补。由于四个开关中,至少一个开关为电流导通能力可调节的PMOS管,与现有技术相比,可以在电源与匹配线之间的两条通路的一条处于导通状态时,更加快速地传输电流,减少了比较过程所耗费的时长。

    字线脉冲电路、字线脉冲侦测方法、读方法、芯片及设备

    公开(公告)号:CN111128264B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201911235991.0

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本发明实施例提供一种字线脉冲电路、字线脉冲侦测方法、读方法、芯片及设备,其中电路包括:脉冲选项控制电路用于,在测试模式下,对多个脉冲宽度选项进行遍历,针对每一遍历到的脉冲宽度选项,输出对应的字线脉冲生成控制信号;字线脉冲生成器用于,基于字线脉冲生成控制信号,生成对应的字线脉冲;读操作侦测电路用于,基于字线脉冲,对存储阵列进行读操作测试,从多个脉冲宽度选项中确定使存储阵列读操作成功的最小脉冲宽度选项,将最小脉冲宽度选项反馈给所述脉冲选项控制电路,以使脉冲选项控制电路进行存储。本发明实施例可以合理的设置读操作时的字线脉冲,为降低存储器读操作的功耗提供基础。

    一种存储器的数据读出方法、数据写入方法及装置

    公开(公告)号:CN112099734B

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202010998430.2

    申请日:2020-09-21

    Inventor: 杨昌楷

    Abstract: 本发明实施例公开一种存储器的数据读出方法、数据写入方法及装置,涉及集成电路技术领域,能够在保证数据读写正确的前提下,有效提高数据读写效率。所述数据读出方法包括:通过测试写有效信号,向存储器的预设存储单元行写入测试数据;以不同的数据读取时序,分别读取所述预设存储单元行中的数据,得到对应的读出数据;根据所述读出数据与所述测试数据的一致性的变化,确定所述存储器的读时序对应的读临界时长;根据所述读临界时长对所述存储器进行读操作。本发明适用于集成电路设计中。

    存储器电路、电路控制方法、集成电路器件及处理器

    公开(公告)号:CN111128262B

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN201911314768.5

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本申请提供一种存储器电路、电路控制方法、集成电路器件及处理器,包括:读写相关信号线,逻辑与电路,使能信号发生器、控制器以及执行器;读写相关信号线与对应的逻辑与电路的第一输入端连接,使能信号发生器的输出端和逻辑与电路的第二输入端连接,逻辑与电路的输出端与对应的执行器连接;控制器与使能信号发生器的输入端连接,控制器用于控制使能信号发生器的输出端输出使能信号的时刻。逻辑与电路的其中一个输入端受使能信号发生器的输出端控制,便可以利用使能信号发生器来调节逻辑与电路的输出端的开启或关闭,从而在时钟信号的周期较长时,通过使能信号发生器缩短执行器接收到高电平信号的时长,避免BL被拉得过低,减少功耗。

    一种存储器、芯片及电路控制方法

    公开(公告)号:CN110070904B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201910314248.8

    申请日:2019-04-18

    Abstract: 本发明实施例提供一种存储器、芯片及电路控制方法,存储器包括:字线;冗余字线;连接所述字线的存储单元;连接所述冗余字线的冗余存储单元;其中,当不存在异常的存储单元时,使用所述冗余存储单元实现灵敏放大器;当存在异常的存储单元时,保留至少一个冗余存储单元实现灵敏放大器,并使用其余的目标冗余存储单元替换异常的存储单元。本发明实施例可在有效利用冗余存储单元的基础上,提高存储器中存储单元所占的面积比,降低存储器的面积消耗。

    漏电流检测电路、漏电流处理电路及处理器系统

    公开(公告)号:CN112285602B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202011129207.0

    申请日:2020-10-20

    Inventor: 邝仁德 杨昌楷

    Abstract: 本申请提供一种漏电流检测电路、漏电流处理电路及处理器系统,包括:漏电流探测振荡单元,其输入端用于与所述待测元件连接,以检测所述待测元件的漏电流并生成频率与所述漏电流的电流值正相关的振荡信号;时间数字转换单元,其输入端与所述漏电流探测振荡单元的输出端连接,以用于根据所述振荡信号生成对应的漏电流数值。利用漏电流探测振荡单元生成与漏电流的电流值正相关的振荡信号;随后时间数字转换单元根据振荡信号生成对应的漏电流数值。由于是依据漏电流生成振荡信号,再依据振荡信号生成对应的漏电流数值,与现有技术依据温度对漏电流进行监控相比,能够更加准确地监控漏电流。

    静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器

    公开(公告)号:CN112102863B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202010931569.5

    申请日:2020-09-07

    Abstract: 本申请提供了一种静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器,其中,该静态随机存取存储器控制电路包括:静态随机存取存储器单元,第一位线、第二位线以及预充电单元;预充电单元包括:第一预充电单元和第二预充电单元;第一预充电单元通过第一位线与静态随机存取存储器单元连接;第二预充电单元通过第二位线与静态随机存取存储器单元连接;第一预充电单元包括第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元,第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元分别与第一位线连接;第二预充电单元包括第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元,第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元分别与第二位线连接。

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